RU20P4C-VB MOSFET：SOT23封装，适用于移动计算

"RU20P4C-VB是一款由vbsemi生产的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用SOT23封装，适用于移动计算设备中的负载开关、笔记本适配器开关和直流到直流转换器等应用场景。这款MOSFET的主要特点是采用了TrenchFET技术，确保了其在功率处理和效率方面的优越性能。其主要参数包括：-30V的额定漏源电压（VDS）、在不同栅极电压下的低RDS(ON)值，例如10V时为47mΩ，4.5V时为56mΩ，以及-1V的阈值电压（Vth）。此外，还进行了100%的栅极电阻测试，确保了产品的可靠性和一致性。" RU20P4C-VB MOSFET的详细参数如下： 1. **漏源电压（VDS）**：该器件能承受的最大反向漏源电压为-30V，这确保了在正常工作条件下电路的安全性。 2. **导通电阻（RDS(ON)）**：这是衡量MOSFET导通状态下的内阻的重要参数。在-30V的VDS下，当栅极电压VGS分别为-10V、-6V和-4.5V时，对应的RDS(ON)典型值分别为46mΩ、49mΩ和54mΩ。较低的RDS(ON)意味着在导通时的功率损失更小，效率更高。 3. **栅极阈值电压（Vth）**：-1V的阈值电压意味着在低于这个电压时，MOSFET将不会导通，从而控制电流的流动。 4. **连续漏极电流（ID）**：在不同温度和栅极电压下，ID的典型值有所不同。例如，在25°C时，最大连续漏极电流为-5.6A；而在70°C时，这个值会降低到-5.1A或-4.3A，这取决于栅极电压。 5. **栅极电荷（Qg）**：表示开启或关闭MOSFET所需电荷量，其典型值为11.4nC，影响开关速度和动态损耗。 6. **封装**：RU20P4C-VB采用SOT23封装，这是一种小型表面贴装器件，适合于空间有限的电路板设计。 7. **绝对最大额定值**：包括漏源电压、栅源电压、连续漏极电流、脉冲漏极电流、连续源漏二极管电流和最大功耗等，这些值定义了器件在不损坏的情况下可以承受的工作极限。 8. **热特性**：包括结温范围和热阻，如在25°C时，MOSFET的最大功率耗散为2.5W，而在70°C时降低到1.6W。热阻值影响器件的散热性能，较高的热阻可能导致器件过热。 这些参数对于理解和评估RU20P4C-VB在实际电路设计中的表现至关重要，特别是在高效率、低功耗和小型化应用中。设计师需要根据具体应用的电压、电流需求和散热条件来选择合适的MOSFET。