基于CMOS摄像的PZT相移特性干涉条纹关联测量法

本文主要探讨了基于干涉条纹相关系数的PZT（Piezoelectric Transducer，压电陶瓷）相移特性测量方法。PZT压电陶瓷因其良好的线性特性，能在微小位移时提供高精度和快速响应，这使得它们在光学测量领域，尤其是在干涉测量中发挥着关键作用。干涉测量中，PZT被用来精确地控制反射镜的运动，通过引入可控的相位变化，其电压相移特性对于保证测量的准确性和可控性至关重要。 研究者提出了一种创新的测量技术，利用CMOS数字摄像机捕捉干涉条纹图样。这种图样反映了PZT的驱动下，光波的相位变化。关键步骤是选择一个零电压状态下的图样作为基准，通常是指无电压输入时的自然状态。通过将采集到的图样与基准图进行归一化相关系数计算，这种方法能够消除电压变化对图样对比度的影响，从而得出清晰的电压与相移之间的关系。 归一化相关系数的运用，确保了测量结果不受光照强度或图像噪声等因素的干扰，提高了测量的精度和稳定性。这种方法不仅简化了实验过程，而且能够高效地获取PZT的电压相移特性曲线，满足了干涉测量对相移控制的严格需求。 论文的作者赵英明、杨若夫等人，分别在光电测量、光学设计和波前相位检测等领域进行了深入研究。他们的工作得到了国家自然科学基金项目的资助（项目编号：61308062），并且由高级工程师杨春平指导，显示了团队在该领域的专业实力和研究成果。 文章的关键词包括PZT压电陶瓷、干涉测量、归一化相关系数、相移以及光电检测，这些词汇突出了研究的核心内容和技术手段。最后，根据论文的分类号（TN911和TM930）以及文献识别码A，可以确定这是一篇高质量的技术性论文，对光学测量技术和压电陶瓷应用有重要参考价值。