存储器电路模型详解：功能、测试与VLSI设计

存储器电路模型是VLSI（Very Large Scale Integration）设计中的核心部分，它涉及到不同层次的抽象和实现。在《存储器电路模型 - 国科大 - 模式识别 - 2018期末试题》中，主要关注的是逻辑级和电路级的存储单元失效模型，以及功能级的测试图形生成。 1. **功能模型**: 存储器的功能模型如RAM（Random Access Memory）所示，包括存储元件按阵列布局，周边电路包含地址寄存器（MAR）、译码器、读写电路、控制逻辑以及存储数据寄存器（MDR）。MAR负责接收地址信息，通过译码器决定读写操作的目标行和列，然后利用写驱动器和敏感放大器执行读写操作。动态RAM还需要刷新电路来维持存储单元的状态。存储阵列采用行列结构，通过字线（WL）选择行，位线（BL）选择列，一次操作仅影响一个特定单元。 2. **VLSI测试方法与可测性设计**: VLSI测试涉及复杂的技术，如《VLSI测试方法学和可测性设计》一书中提到的内容。它涵盖了广泛的测试策略，如电路测试和分析的基本概念，数字电路的描述与模拟方法，组合电路和时序电路的测试生成技术，专用可测性设计，包括扫描和边界扫描、IDDQ测试（Intrinsic Dielectric Discharge Quality）等。此外，书中还探讨了随机和伪随机测试原理，以及各种测试生成电路结构与M序列测试的关系，内建自测试（ Built-in Self-Test, BIST）原理，数据压缩结构及其在内存（Memory）和系统级芯片（System-on-Chip, SoC）的可测性设计中的应用。 3. **应用范围**: 这些知识不仅适用于VLSI设计、制造的专业人员，也是电路设计、模拟、测试和分析的基石，对高等教育机构的学生和研究生而言，是深入理解集成电路系统的重要教材。该书强调版权保护，未经授权不得复制或抄袭，并提供了查询和反馈渠道。 学习和掌握存储器电路模型及VLSI测试方法学对于从事现代集成电路行业的专业人士至关重要，它涵盖了从硬件设计到故障检测和修复的全链条过程，是推动电子产品性能提升和技术进步的关键环节。