LN4501LT1G-VB SOT23封装N-Channel MOSFET技术规格与应用

"LN4501LT1G-VB是一款由VBsemi生产的SOT23封装的N-Channel场效应MOSFET，主要特点包括无卤素设计、TrenchFET功率MOSFET技术、100%栅极电阻测试以及符合RoHS指令。适用于DC/DC转换器和便携式应用的负载开关。" LN4501LT1G-VB是N-Channel沟道的MOSFET，具备20V的漏源电压（VDS）能力，能够处理连续的漏极电流ID高达6A。在VGS=4.5V时，其开启电阻RDS(on)为24毫欧，而当VGS=8V时，RDS(on)上升到42毫欧，如果VGS=1.8V，则RDS(on)为50毫欧。这些参数决定了MOSFET在导通状态下的电阻，较低的RDS(on)意味着在导通时的电压降较小，能更高效地传导电流。 该器件的栅极源电压VGS的最大值为±12V。在不同温度下，连续漏极电流ID有不同的限制，例如在TJ=150°C时，ID最大为6A，而在TJ=70°C时，ID最大为5.1A。脉冲漏极电流IDM最高可达20A，这表明MOSFET能承受短时间的高电流脉冲。 此外，MOSFET内置的源漏二极管连续电流IS的最大值为1.75A，但实际值可能会因温度变化而有所不同。最大功率耗散PD在TJ=25°C时为2.1W，TJ=70°C时则降低至1.3W。器件的工作结温与存储温度范围为-55°C到150°C。 LN4501LT1G-VB采用SOT23封装，这是一种小型表面贴装封装，适合空间有限的应用。100%的Rg测试确保了每个器件的可靠性能，而符合RoHS指令则意味着它不含有害物质，符合环保标准。 这款MOSFET特别适用于DC/DC转换器，如电源管理电路，以及便携式设备的负载开关，如手机、平板电脑等。其低RDS(on)特性使其在高效率和低功耗应用中表现出色。同时，其小尺寸封装使得它易于集成到各种电路板设计中，特别是那些需要节省空间的便携式设备。