ZXMN10A07ZTA-VB:100V N沟道TrenchFET MOSFET应用于DC/DC转换器
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更新于2024-08-03
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"ZXMN10A07ZTA-VB是一款N沟道的SOT89-3封装MOS场效应管,适用于DC/DC转换器、升压转换器、负载开关以及LED背光照明等应用。该器件采用TrenchFET技术,具有低阻抗和良好的热特性。其主要规格包括100V的漏源电压(VDS)、在不同栅源电压下的典型RDS(on)值,如VGS=10V时为0.102Ω,VGS=6V时为0.10Ω,以及VGS=4.5V时为0.15Ω。此外,其典型栅极电荷(Qg)为2.9nC,最大功率耗散在25°C时为2.5W,而在70°C时为1.6W。"
ZXMN10A07ZTA-VB是N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用先进的TrenchFET工艺,这种技术使得MOSFET具有更小的体积、更低的导通电阻和更好的散热性能。在设计电路时,低RDS(on)意味着在MOSFET导通时的功率损失减小,从而提高了效率。这款MOSFET适用于电源管理,特别是移动计算设备和LCD电视的LED背光系统,因为它能够在这些应用中有效地控制电流和电压。
产品特性表列出了MOSFET的绝对最大额定值,例如100V的漏源电压VDS,这意味着在正常操作条件下,源极和漏极之间可以承受的最大电压差为100V。连续漏极电流ID在不同温度下有不同的限制,25°C时为4.2A,70°C时降低到3.2A。此外,脉冲漏极电流IDM达到15A,表明它能够处理短时间的大电流脉冲。
该MOSFET还包括一个集成的源漏二极管,允许电流在源极和漏极之间双向流动。连续源漏二极管电流IS在25°C时为2.1A。MOSFET还具有单脉冲雪崩电流和能量的额定值,确保了在过载条件下的稳定性。器件的最大功率耗散随着环境温度的升高而降低,这要求在高热负荷环境下采取适当的散热措施。
ZXMN10A07ZTA-VB是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,适用于需要高效电源转换和电流控制的多种电子应用。其小型SOT89-3封装使其易于安装在紧凑的PCB布局中,并且其良好的热性能确保了在高温环境下的稳定运行。
2023-12-22 上传
2023-12-18 上传
2023-09-26 上传
2023-10-14 上传
2024-07-05 上传
2024-07-05 上传
2023-12-27 上传
2023-11-16 上传
2024-07-06 上传
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