ZXMN10A07ZTA-VB：100V N沟道TrenchFET MOSFET应用于DC/DC转换器

"ZXMN10A07ZTA-VB是一款N沟道的SOT89-3封装MOS场效应管，适用于DC/DC转换器、升压转换器、负载开关以及LED背光照明等应用。该器件采用TrenchFET技术，具有低阻抗和良好的热特性。其主要规格包括100V的漏源电压（VDS）、在不同栅源电压下的典型RDS(on)值，如VGS=10V时为0.102Ω，VGS=6V时为0.10Ω，以及VGS=4.5V时为0.15Ω。此外，其典型栅极电荷（Qg）为2.9nC，最大功率耗散在25°C时为2.5W，而在70°C时为1.6W。" ZXMN10A07ZTA-VB是N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用先进的TrenchFET工艺，这种技术使得MOSFET具有更小的体积、更低的导通电阻和更好的散热性能。在设计电路时，低RDS(on)意味着在MOSFET导通时的功率损失减小，从而提高了效率。这款MOSFET适用于电源管理，特别是移动计算设备和LCD电视的LED背光系统，因为它能够在这些应用中有效地控制电流和电压。 产品特性表列出了MOSFET的绝对最大额定值，例如100V的漏源电压VDS，这意味着在正常操作条件下，源极和漏极之间可以承受的最大电压差为100V。连续漏极电流ID在不同温度下有不同的限制，25°C时为4.2A，70°C时降低到3.2A。此外，脉冲漏极电流IDM达到15A，表明它能够处理短时间的大电流脉冲。 该MOSFET还包括一个集成的源漏二极管，允许电流在源极和漏极之间双向流动。连续源漏二极管电流IS在25°C时为2.1A。MOSFET还具有单脉冲雪崩电流和能量的额定值，确保了在过载条件下的稳定性。器件的最大功率耗散随着环境温度的升高而降低，这要求在高热负荷环境下采取适当的散热措施。 ZXMN10A07ZTA-VB是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET，适用于需要高效电源转换和电流控制的多种电子应用。其小型SOT89-3封装使其易于安装在紧凑的PCB布局中，并且其良好的热性能确保了在高温环境下的稳定运行。