IRLB8721PBF-VB: 30V N沟道TO220封装高性能MOSFET

IRLB8721PBF-VB是一款高性能的N沟道TO220封装MOS场效应晶体管（MOSFET），它属于TrenchFET®系列，专为高效能、高可靠性应用设计。这款MOSFET的特点包括： 1. **特性**： - **沟槽型MOSFET结构**：利用先进的沟槽工艺，提供了更小的栅极氧化层，从而降低栅极到源极间的电容（Cgss）和提高开关速度。 - **高可靠性测试**：100%进行了Rg和UISTest，确保了在极端工作条件下的稳定性和可靠性。 - **环保合规**：符合RoHS指令2011/65/EU的要求，表明其在生产过程中遵循了严格的有害物质管控标准。 2. **应用场景**： - **并联应用**（OR-ing）：由于其大电流处理能力，适合用于多个电路的并联操作，如电源管理和信号放大。 - **服务器**：作为服务器电源中的关键元件，提供稳定的电压调节和高效的功率转换。 - **直流-直流转换器**：由于其高压耐受能力和良好的散热性能，常用于高效率的电源转换电路中。 3. **电气参数**： - **电压等级**：最大集电极-源极电压（VDS）为30V，门极-源极电压（VGS）可承受±20V的范围。 - **连续电流**：在25°C条件下，最大集电极电流（ID）为120A，而在70°C时有所限制。 - **脉冲电流**：短时间脉冲下，最大允许的集电极电流（IDM）为380A，单脉冲雪崩电流（IAS）为36A，对应的单脉冲雪崩能量（EAS）为64.8V。 - **二极管特性**：连续源-漏电流（IS）在25°C时为90A，但实际应用时需考虑限制条件。 4. **热管理**： - **最大功率损耗**：在25°C下，最大允许的功率损耗（PD）为250W，随着温度升高，功率极限会逐渐降低。 - **温度范围**：操作和储存温度范围为-55°C至175°C，而热阻抗参数有典型值和最大值供参考。 IRLB8721PBF-VB是一款适用于高性能电子设备的N沟道MOSFET，它具有优良的电气性能、可靠性和广泛的温度适应性，适用于多种高要求的电源管理及开关应用场合。在设计电路时，务必注意其特定的限制条件和温度依赖性，以确保组件安全稳定运行。