M17X-VB P-Channel场效应MOS管特性参数详解

"M17X-VB一款SOT23封装P-Channel场效应MOS管" M17X-VB是一款P-Channel场效应MOS管，封装在SOT23封装中。它具有-20V的沟道电压，-4A的连续漏电流，RDS(ON)为57mΩ@VGS=4.5V，VGS=12V时。阈值电压Vth为-0.81V。 在MOSFET产品摘要中，我们可以看到该MOSFET的主要特性： * RDS(on)为57mΩ@VGS=4.5V，VGS=12V时，表示该MOSFET的导通电阻非常小，在低压电压下可以实现低电阻的开关功能。 * ID为-4A，表示该MOSFET可以承载-4A的连续漏电流。 * VDS为-20V，表示该MOSFET可以承载-20V的漏电压。 * Qg为10nC，表示该MOSFET的门控电荷非常小，在高速开关应用中非常重要。 在绝对最大额定值中，我们可以看到该MOSFET的各种参数： * 漏电压VDS为-20V，表示该MOSFET可以承载-20V的漏电压。 * 门控电压VGS为±12V，表示该MOSFET的门控电压范围为±12V。 * 连续漏电流ID为-4A，表示该MOSFET可以承载-4A的连续漏电流。 * 脉冲漏电流DM为-10A，表示该MOSFET可以承载-10A的脉冲漏电流。 * 最大功率耗散PD为2.5W，表示该MOSFET的最大功率耗散为2.5W。 在热阻抗 ratings 中，我们可以看到该MOSFET的热阻抗参数： * 最大结温到环境热阻抗RthJA为75°C/W，表示该MOSFET的热阻抗非常小，在高速开关应用中非常重要。 * 最大结温到脚热阻抗RthJ为40°C/W，表示该MOSFET的热阻抗也非常小。 在功能特性中，我们可以看到该MOSFET的其他特性： * Halogen-free，表示该MOSFET不含卤素，符合环保要求。 * TO-236(SOT-23)封装，表示该MOSFET采用TO-236(SOT-23)封装，非常适合 surface mount应用。 M17X-VB是一款高性能的P-Channel场效应MOS管，适合高速开关应用，具有低电阻、低热阻抗、高速开关等特性。