英飞凌IRFB4321PBF功率MOSFET中文规格书详解

需积分: 5 0 下载量 46 浏览量 更新于2024-08-04 收藏 283KB PDF 举报
"IRFB4321PBF是一款由INFINEON英飞凌公司生产的HEXFET PowerMOSFET芯片,具有低栅极电荷、低导通电阻等特性,适用于电机控制、高效同步整流、不间断电源以及硬开关和高频电路等多种应用。这款芯片提供了中文版规格书手册,方便用户理解和使用。" 本文将详细阐述IRFB4321PBF的主要特性和应用,以及其关键参数。 1. 主要特性: - 低RDS(on): 该芯片的典型导通电阻仅为12毫欧,最大值不超过15毫欧,这意味着在导通状态下的功率损失小,能提高系统的效率。 - 低栅极电荷:较低的栅极电荷意味着更快的开关速度,从而改善了开关性能,降低开关损耗。 - 改进的二极管恢复特性:优化的二极管恢复时间有助于提升切换和电磁干扰(EMI)性能。 - 30V的栅极电压额定值:增加了芯片的鲁棒性,使其能承受更高的栅极驱动电压。 - 完全表征的雪崩能量安全操作区(SOA):确保芯片在过载条件下有良好的耐受能力。 2. 应用场景: - 电机控制应用:IRFB4321PBF适合用于高效、精确的电机驱动电路。 - 高效同步整流:在开关模式电源(SMPS)中,同步整流可以显著提高效率。 - 不间断电源系统:在UPS中,这款芯片能够提供稳定可靠的电源转换。 - 硬开关和高频电路:适用于需要快速切换操作的场合。 3. 关键参数: - VDSS:最大漏源电压为150V,保证了芯片在高电压环境下的稳定性。 - ID:连续漏极电流,在25°C时最大可达85A,100°C时会有所降低。 - VGS:门极到源极的最大电压,确保了芯片的正常工作范围。 - EAS:单脉冲雪崩能量,限制在特定温度下允许的最大能量,防止芯片因过载而损坏。 - TJ和TSTG:分别是操作结温及存储温度范围,确保芯片在各种环境条件下的可靠工作。 - RθJC:结到壳热阻,反映了芯片散热性能的重要指标。 IRFB4321PBF是一款高性能的MOSFET芯片,其低RDS(on)和优化的电气特性使其在高效率和高速切换的应用中表现出色。提供的中文规格书手册对于设计者和工程师来说是宝贵的参考资料,帮助他们更好地理解和应用这款产品。