英飞凌IPD90P04P4L-04 OptiMOS-P2 功率晶体管技术规格

"IPD90P04P4L-04是英飞凌公司生产的一款OptiMOS-P2系列的P通道逻辑电平增强模式功率晶体管。这款芯片适用于汽车电子应用，符合AEC-Q101标准，并且具有较高的热稳定性和可靠性。" IPD90P04P4L-04是一款由全球知名半导体制造商INFINEON（英飞凌）生产的电子元器件芯片，其主要特性包括： 1. **P通道逻辑电平增强模式**：这意味着该器件在栅极电压较低（接近逻辑低电平）时就能开启，适合在需要低电压控制的电路中使用。 2. **AEC-Q101认证**：该芯片符合汽车电子委员会(Automotive Electronics Council)的质量标准Q101，保证了在严苛的汽车环境中的可靠性和耐用性。 3. **MSL1等级**：湿度敏感度等级1，允许在高达260°C峰值回流温度下工作，确保在SMT工艺中的兼容性和稳定性。 4. **工作温度范围广**：可承受-55°C至175°C的工作温度，适应各种环境条件。 5. **绿色封装**：符合RoHS指令，不含有害物质，有利于环保。 6. **100%雪崩测试**：通过了全面的雪崩能量和电流测试，确保在过载条件下的安全操作。 在电气参数方面： 1. **最大连续漏极电流(ID)**：在25°C时，VGS = -10V时，最大连续漏极电流为-90A，而在100°C时，该值保持不变。 2. **脉冲漏极电流(ID,pulse)**：在25°C时，瞬时最大脉冲漏极电流可达-360A。 3. **单脉冲雪崩能量(EAS)**：当ID = -45A时，单脉冲雪崩能量的最大值为60mJ。 4. **单脉冲雪崩电流(IAS)**：未给出具体数值，但表明设备可以承受一定级别的雪崩电流。 5. **栅极源电压(VGS)**：其范围为+5V至-16V，确保了宽泛的驱动电压选择。 6. **最大功率耗散(Ptot)**：在25°C下，芯片的最大功率耗散为125W。 7. **热特性**：结-壳热阻(RthJC)典型值为1.2K/W，表明芯片从内部电路到外壳的热传递效率。 该器件采用PG-TO252-3-313封装，标记为4P04L04。封装设计将栅极设为第1引脚，漏极为第2引脚/散热片，源极为第3引脚。这种布局优化了散热性能，同时便于在电路板上的安装和布局。 IPD90P04P4L-04是一款高性能、高可靠性的P通道MOSFET，适用于需要高效能和低损耗的电源管理、电机驱动以及开关电源等应用领域。