P沟道20V SOT23封装MOSFET - SI2365EDS-T1-GE3-VB特性与参数

"SI2365EDS-T1-GE3-VB是一款P沟道MOSFET，采用SOT23封装，适用于低电压、低电阻的应用场景。其关键参数包括20V的最大漏源电压（VDS），在不同栅源电压下的低导通电阻（RDS(on)），以及较小的门极电荷（Qg）。此外，该器件具有严格的绝对最大额定值，包括±12V的栅源电压（VGS）、不同温度下的连续漏电流（ID）以及最大功率耗散（PD）。MOSFET还具备良好的热性能，如低结壳热阻（RthJF）和结温至环境的热阻（RthJA）。该产品符合无卤素标准，符合IEC61249-2-21的规定。" SI2365EDS-T1-GE3-VB是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），设计用于需要高效能和小型封装的应用。它的主要特性是其20V的漏源电压能力，这意味着它可以在不超过20V的电压下工作，确保了在高电压环境中工作的安全性。此外，MOSFET的RDS(on)非常低，这在低电压电源开关或逻辑应用中尤为重要，因为它决定了器件在导通状态下的电阻，从而影响到电路的效率和功耗。在VGS=-10V时，RDS(on)为0.035Ω，而在VGS=-4.5V时，RDS(on)上升到0.043Ω，这显示了随着栅源电压的降低，导通电阻略有增加。 门极电荷（Qg）是衡量开启和关闭MOSFET所需能量的一个参数，对于快速开关操作至关重要。这款MOSFET的典型门极电荷Qg在5V时分别为10nC，表明其开关速度较快，适合需要快速响应的应用。同时，MOSFET的尺寸紧凑，采用TO-236（SOT-23）封装，适合表面贴装在1"x1"FR4板上。 在绝对最大额定值方面，MOSFET能承受±12V的栅源电压，保证了其在设计电路时的稳定性。连续漏电流ID根据温度的不同而变化，最大值在25°C时为-5eA，在70°C时为-4.8A。脉冲漏电流IDM可以达到-18A，满足瞬时大电流需求。连续源漏二极管电流IS在25°C时为-2.1A，同样随温度变化。最大功率耗散限制在25°C时为2.5W，而70°C时为1.6W，确保器件不会过热。 热性能是衡量MOSFET可靠性和寿命的关键指标。SI2365EDS-T1-GE3-VB具有较低的结壳热阻（RthJF）和结温至环境的热阻（RthJA），分别在75°C/W和40°C/W左右，这有助于有效地散发器件工作产生的热量。器件的工作和存储温度范围宽泛，从-55°C到150°C，适合各种环境条件。另外，该MOSFET符合无卤素标准，对环保友好，符合电子行业的绿色制造趋势。