GTT8205S-A-VB双N沟道SOT23-6 MOSFET技术规格

GTT8205S-A-VB是一款双N沟道MOSFET，采用SOT23-6封装，具有低电阻和高效能的特点。 GTT8205S-A-VB MOSFET是专为需要高效率和小体积应用设计的半导体器件。这种MOSFET采用TrenchFET技术，这是一种先进的制造工艺，能够显著降低导通电阻（RDS(on)），从而在工作时减少功率损耗和发热。在25°C的结温下，当栅极电压VGS为4.5V时，每个通道的RDS(on)仅为0.024欧姆；而当VGS为2.5V时，RDS(on)上升至0.028欧姆。较低的RDS(on)意味着在高电流开关应用中，器件能提供更低的能耗和更高的效率。 这款器件的绝对最大额定值包括20V的源漏电压（VDS）和±12V的栅源电压（VGS）。在25°C的环境温度下，连续漏极电流（ID）可达到6.0A，但随着结温升高到70°C，这个值会下降到4.2A。此外，脉冲漏极电流IDM可达30A，而连续源电流（Diode Conduction）ID为1.5A。最大功率耗散在25°C时为1.5W，在70°C时则降低到0.64W。 GTT8205S-A-VB的热特性同样重要，其最大结壳热阻RthJF在稳定状态下为55至70°C/W，而最大结温到环境的热阻RthJA在瞬态（10s内）条件下为72至83°C/W，稳定状态下则为100至120°C/W。这些数值影响了MOSFET在高负荷工作下的散热能力。 封装方面，GTT8205S-A-VB使用的是SOT23-6封装，这是一个小型表贴封装，适用于空间有限的电路板上。该封装包含两个独立的N沟道MOSFET，每个都有自己的栅极（G1和G2）、源极（S1和S2）和漏极（D1和D2）。此外，该器件符合RoHS标准，提供无铅选项，并且有Pb-free标识，表明它不含铅，符合环保要求。 GTT8205S-A-VB是一款适用于电源管理、开关电路以及需要高效能、低功耗的电子设备中的双通道N沟道MOSFET。它的特性使其成为小型化、高效率系统设计的理想选择。更多关于此产品的详细信息可以参考VBsem的官方网站。