英飞凌IRF200B211 PowerMOSFET技术规格书

"该资源是英飞凌（INFINEON）公司生产的IRF200B211芯片的中文版规格书手册，主要介绍了一种名为StrongIRFET™的HEXFET®功率MOSFET器件。该芯片适用于各种电机驱动、电池供电电路、半桥和全桥拓扑结构、同步整流器应用、谐振模式电源供应、DC/DC和AC/DC转换器以及DC/AC逆变器等场景。" IRF200B211是一款高性能的功率MOSFET，其特性包括增强的栅极、雪崩和动态dv/dt耐受性，这意味着它在高电压和快速变化的电压下具有更好的稳定性。此外，该芯片的完全表征电容和雪崩安全工作区（SOA）确保了在各种工作条件下能保持良好的性能。IRF200B211还具备改进的体二极管dv/dt和di/dt能力，允许在快速开关应用中更稳定的工作。 在电气规格方面，该芯片的漏源电压（VDSS）为200V，典型漏源导通电阻（RDS(on)）为135毫欧，最大值为170毫欧。其硅片限制的最大漏电流（ID）为12A。图1展示了典型的漏源导通电阻与栅极电压的关系，而图2则描绘了最大漏电流与芯片壳温之间的关系。芯片采用TO-220AB封装，便于在电路板上安装。 在订购信息部分，IRF200B211的标准包装形式为TO-220AB，标准包装数量为50个，且符合无铅、RoHS和卤素免费的环保标准。这表明该产品不仅在性能上表现出色，同时也考虑到了环保要求。 总体而言，IRF200B211是一款适用于多种电力电子应用的高性能功率MOSFET，具有优秀的电气特性和耐久性，是设计工程师在开发电机驱动、电源转换等领域产品时的理想选择。其详细的规格书提供了全面的技术参数和操作指导，有助于用户更好地理解和使用这款芯片。