LDMOS射频功率放大器：栅极温度特性和电-热记忆效应分析

"王胜军和鲍景富针对LDMOS射频功率放大管的栅极温度特性进行了深入研究，探讨了电-热记忆效应，并利用MET LDMOS模型及Agilent ADS软件进行了仿真分析，旨在减少功率放大器的电-热记忆效应。" 本文主要关注的是LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）射频功率放大管的栅极温度特性，这是现代无线通信系统中的关键组件。LDMOS技术因其优异的特性，特别是在射频功率放大器设计中的突出表现，已经成为了行业的首选。LDMOS晶体管通过双扩散工艺实现，可以制造出具有精确沟道长度的器件，同时避免了光刻精度的限制，提高了性能。 LDMOS场效应管通常工作在AB类状态，其短沟效应显著提升了跨导、漏极电流、最高工作频率和速度。在射频应用中，LDMOS具有更好的线性度、较高的效率和低交叉调制失真，这使得它在移动通信基站的大功率射频放大器中得到了广泛应用。 然而，在采用预失真线性化技术的射频功率放大器中，电-热记忆效应成为了一个挑战。这种效应源于功率器件芯片温度的变化，当器件的工作温度上升，如因自热效应导致的结温升高，会改变晶体管的参数，特别是静态工作电流，进而影响放大器的整体性能。因此，理解和控制LDMOS的栅极温度特性对于优化功率放大器的性能至关重要。 作者通过MET LDMOS模型进行了理论分析，这是一种用于模拟和理解功率器件行为的工具。此外，他们利用Agilent ADS（Advanced Design System）软件进行了实际的仿真，以更具体地研究LDMOS FET的栅极温度特性。这些仿真结果有助于揭示温度变化如何影响晶体管参数，并为减少电-热记忆效应提供了理论依据。 该研究对理解LDMOS射频功率放大器的温度依赖性提供了深入见解，对于优化功率放大器设计和提升无线通信系统的性能具有重要意义。通过更有效地管理温度变化，可以减轻电-热记忆效应，从而提高射频功率放大器的线性性能和整体工作效率。