英飞凌 IRL40SC228 MOSFET:逻辑驱动优化的高性能电子元件

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英飞凌 IRL40SC228是一款高效能的HEXFET(高压增强型MOSFET)电子元器件芯片,专为逻辑级驱动设计,适用于多种高性能应用领域。该器件采用D2PAK-7Pin封装,提供了出色的热性能和可靠性。 IRL40SC228的主要特点包括: 1. **优化的逻辑级驱动**:这款MOSFET特别设计,允许在低电压下实现高效的开关操作,对于那些对驱动信号要求严格的电路如电机驱动、电池供电电路和电源转换器非常适用。 2. **改进的耐受性**:它具有增强的门极、雪崩和动态dv/dt耐受能力,确保在高电压和电流条件下仍能稳定工作,减少了故障风险。 3. **完整的参数特性**:芯片的电容特性和雪崩应力-时间(SOA)特性都经过了全面的测试,这为设计师提供了准确的设计依据。 4. **增强的体二极管性能**:IRL40SC228的体二极管具有优异的dv/dt和di/dt能力,提高了在逆变器和同步整流器等应用中的效率。 5. **环保属性**:作为一款无铅和RoHS合规的产品,它还符合环保标准,不含卤素和溴化阻燃剂,有利于绿色制造和环境保护。 6. **电气参数**:最大集电极-源极(RDS(on))典型值为0.50mΩ,最大可达0.65mΩ,而硅限制的集电极电流ID(SiliconLimited)高达557A,包装限制的电流ID(PackageLimited)为360A。 图1展示了该器件在不同门极电压下的典型导通电阻,显示了其在各种工作条件下的性能表现。图2则展示了最大集电极电流随外壳温度变化的关系,强调了其在温度管理方面的稳健性。 D2PAK-7Pin封装使得IRL40SC228能够适应紧凑的应用空间,并且提供800个单位的Tape and Reel包装形式,便于大规模生产。总体而言,IRL40SC228是工程师在设计高效率、低功耗以及环保要求的电路时的理想选择,特别是在电动机驱动、电池管理系统和功率转换系统等领域。