英飞凌IRF630N芯片规格书：高性能HEXFET®PowerMOSFET

"IRF630N是英飞凌（INFINEON）生产的一款功率MOSFET芯片，属于HEXFET®系列。这款芯片提供了中文版的规格书手册，详细介绍了其技术参数和应用特性。" IRF630N是一款高性能的功率MOSFET，适用于各种电力电子应用，如电源转换、电机驱动和开关电源等。以下是其关键的技术参数和特点： 1. **连续漏极电流（ID）**：在25°C和10V栅源电压（VGS）下，ID的最大值为9.3A；在100°C时，这个值降为6.5A。这意味着IRF630N能够在高温环境下保持较高的电流传输能力。 2. **脉冲漏极电流（IDM）**：最大脉冲漏极电流可达37A，适合处理瞬时大电流负载。 3. **功耗（PD）**：在25°C时的最大功耗为82W，并且线性热降额系数为0.5 W/°C，意味着随着温度升高，器件的功耗将以这个比例减少。 4. **栅源电压（VGS）**：芯片允许的栅源电压范围为±20V，确保了良好的控制能力和稳定性。 5. **安全工作区域（SOA）**：包括单脉冲雪崩能量（EAS）94mJ和重复雪崩能量（EAR）8.2mJ，表明该器件可以承受一定的过载条件而不损坏。 6. **di/dt特性**：峰值二极管恢复di/dt为8.1 V/ns，体现了其快速开关性能，适合高速应用。 7. **工作温度范围**：操作结温及储存温度范围分别是-55至+175°C，可适应广泛的环境条件。 8. **封装类型**：提供多种封装选项，如D2Pak（IRF630NSPbF、IRF630NLPbF），TO-220AB（IRF630NPbF）和TO-262（IRF630NLPbF），以满足不同应用的需求。 9. **特性优势**：第五代HEXFET®技术，采用先进的制造工艺，具备低导通电阻（RDS(on) = 0.30Ω），快速开关，完全雪崩额定，易于并联和驱动简单等优点。 IRF630N是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，其优秀的电气特性和广泛的工作温度范围使其成为许多电力电子设计的理想选择。设计者可以根据实际需求选择合适的封装形式，并注意遵循绝对最大额定值，以确保器件的长期稳定运行。