SiGe HBT几何参数优化对低噪声放大器噪声性能影响研究
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更新于2024-08-12
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"改善放大器噪声性能的SiGe HBT几何参数优化设计 (2012年)"
这篇论文探讨了如何通过优化硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)的几何参数来提升单片低噪声放大器(LNA)的噪声性能。在0.35微米的SiGe BiCMOS工艺基础上,研究人员设计并制造了四款具有不同几何特性的SiGe HBT LNA。实验表明,当发射极宽长比较小的情况下,小幅度调整发射极宽度对降低噪声系数(NF)的效果并不显著。然而,增加发射极条长或增多发射极条数能够显著降低NF,同时不会影响放大器的增益。
关键发现是,选择特定的发射极面积,例如AE = 4μm×40μm×4的SiGe HBT LNA,能实现最佳的性能表现。这款LNA在0.2到1.2 GHz的频率范围内,噪声系数可低至2.7 dB,相关增益达到26.7 dB,并且具有接近50欧姆的最佳噪声源阻抗。这样的设计优势在于没有使用占用较大芯片面积的电感,使得放大器芯片尺寸仅为0.2平方毫米,有利于集成和小型化。
在噪声性能优化方面,该研究强调了发射极几何参数的重要性,尤其是条长和条数对噪声系数的影响。这种优化设计策略对于提升微波和射频应用中的LNA性能具有实际意义,特别是在通信、雷达和传感器系统等对噪声性能要求严格的领域。
论文还指出,通过几何参数的精细调控,可以平衡LNA的噪声性能、增益和芯片面积,从而满足不同应用的需求。此外,这些发现也为未来SiGe HBT技术的进一步研发提供了理论依据和实践经验,有助于推动半导体器件在高频低噪声应用中的性能提升。
2019-08-18 上传
2021-06-30 上传
2021-05-14 上传
2021-05-14 上传
2021-05-16 上传
2021-05-26 上传
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