反激式开关电源RCD吸收电路优化设计

"这篇文章主要探讨了反激式开关电源中RCD吸收电路的设计，旨在平衡限制主MOS管最大反峰电压与降低RCD回路功耗这两个相互矛盾的需求。内容涉及了工作频率范围、RCD回路中二极管的短暂导通时间以及在调整RCD回路前主变压器和MOS管参数的预设。文章通过详细的计算步骤，指导如何确定RCD吸收电压VRCD，包括输入直流电压VDC、次级反射初级电压VOR、MOS管余量电压VDS以及RCD吸收电压VRCD的实际选取。" 在设计反激式开关电源的RCD吸收电路时，首要任务是确保主MOS管的最大反峰电压得到限制，同时最小化RCD回路的功耗。作者首先提出几个前提假设，如工作频率范围、二极管的导通时间和变压器及MOS管参数的预先设定。接着，文章详细介绍了计算过程： 1. 输入直流电压VDC：根据最高输入交流电压（例如AC265V，转换为DC375V）乘以根号2来计算。 2. 次级反射初级电压VOR：基于次级输出最高电压，考虑二极管压降（如1N5822的VF值）和次级到初级的变比（Np/Ns）来计算。 3. 主MOS管的余量电压VDS：通常取MOS管VD的10%作为安全余量，如KA05H0165R的VD为650V，VDS则为65V。 4. RCD吸收电压VRCD：理论上的VRCD是MOS管VD减去VDC和VDS的90%，实际选取时需要通过实验调整以匹配理论值。VRCD必须大于VOR的1.3倍，且小于VDC的2倍，以确保MOS管的安全工作。 作者强调，VRCD的计算结果是理论值，实际应用中需要通过实验微调，以确保实际工作情况与理论计算相符。此外，VRCD小于VOR的1.3倍会导致MOS管反峰电压保护不足，而VRCD大于VDC的2倍可能使MOS管承受过大的电压应力，两者均不利于电路性能和器件寿命。 设计RCD吸收电路时，工程师需要综合考虑这些因素，通过精确计算和实验验证来找到最佳平衡点，既能有效地限制MOS管的最大反峰，又能最大限度地减少RCD回路的无用功耗。这样的设计方法对于提高开关电源效率和稳定性至关重要。