SUD50P08-25L-E3-VB：P沟道100V TrenchFET MOS管技术规格

"SUD50P08-25L-E3-VB是一种P沟道的TO252封装MOS场效应晶体管，适用于功率管理应用。" SUD50P08-25L-E3-VB是英飞凌科技推出的一款高性能P沟道MOSFET，其主要特点是采用了TrenchFET技术，这种技术通过在晶体管的通道中创建一个沟槽结构，从而实现更低的电阻和更高的开关速度。TO-252封装方式使得该器件适合于表面贴装，便于在电路板上安装。 该MOSFET的关键参数包括： 1. **额定电压（VDS）**：-100V，表明它可以承受的最大反向漏源电压。 2. **导通电阻（rDS(on)）**：在VGS=-10V时，rDS(on)低至0.017Ω，而在VGS=-4.5V时，rDS(on)约为0.021Ω。低的导通电阻意味着在导通状态下，流过器件的电流产生的压降较小，从而提高了效率。 3. **栅极电荷（Qg）**：Qg表示开启或关闭MOSFET所需的总电荷量，典型值为55nC，这影响了开关速度。 4. **连续漏源电流（ID）**：在25°C时，ID的最大值为-50A，而在70°C时降低到-42.5A，这说明电流容量会随温度升高而减小。 5. **脉冲漏源电流（IDM）**：最大脉冲漏源电流为-40A，适用于短时间大电流的脉冲应用。 6. **源漏二极管电流（IS）**：连续的源漏二极管电流在25°C时为-50A，70°C时为-6.9A，这表明MOSFET内置了一个体二极管，可以在反向偏置时提供电流路径。 7. **雪崩电流（IAS）**：在L=0.1mH的条件下，最大雪崩电流为-45A，允许器件在设计允许的范围内承受雪崩击穿。 8. **单脉冲雪崩能量（EAS）**：101mJ，这是器件在雪崩条件下可以承受的最大能量。 9. **最大功率耗散（PD）**：在25°C时，最大功率耗散为136W，随着温度升高，这个值会下降，如70°C时为95W。 10. **热阻抗（RthJA）**：典型值为15°C/W，这意味着每增加1W的功率，结温会上升15°C，最大值则更高，影响了器件的散热性能。 11. **工作和存储温度范围**：从-55°C到175°C，保证了MOSFET在宽广的温度范围内稳定工作。 这款MOSFET适用于电源管理、驱动电路、开关电源、电机控制和其他需要高效、低损耗功率转换的应用。其低导通电阻和紧凑的封装尺寸使其成为高密度电路设计的理想选择。在实际应用中，设计者应考虑温度对电流和功率耗散的影响，以及确保足够的散热措施，以保证器件的可靠性和长期稳定性。