GaN光电阴极量子效率：反射与透射模式对比

"本文详细探讨了NEA GaN光电阴极在反射和透射两种工作模式下的量子效率特性。通过使用超高真空制备技术和MOCVD外延技术，以蓝宝石为衬底、AlN为缓冲层，制备出P-GaN样品。利用紫外光谱响应测试仪，研究人员分析了基于负电子亲和势（NEA）的GaN光电阴极在不同工作模式下的量子效率。在反射模式下，样品在240 nm波长处的量子效率达到了50%，而在透射模式下，量子效率最高仅为15%。通过拟合量子效率曲线，发现后界面复合速率为104 cm/s，这成为影响量子效率差异的主要因素。进一步分析指出，后界面复合速率和GaN外延层的厚度是造成这种差异的关键原因。" 在光电子学领域，GaN光电阴极因其优良的光电性能而受到广泛关注。NEA GaN光电阴极在反射式和透射式工作模式下的量子效率特性对比，揭示了材料性能和工作模式之间的紧密关系。反射式和透射式是两种常见的光电探测器工作方式，它们在实际应用中各有优势。反射模式下高量子效率的实现，可能归因于更有效的光子吸收和电子发射，而透射模式下较低的量子效率则可能由于更多的能量损失在界面复合过程中。 在实验中，GaN外延层的厚度和后界面复合速率是影响量子效率的关键参数。较厚的GaN层可能导致光子无法穿透至阴极表面，从而降低透射模式下的量子效率。另一方面，较高的后界面复合速率意味着更多的电子在到达阳极之前与空穴复合，降低了电流输出，这在透射模式中更为显著。通过优化这些参数，可以改善光电阴极的整体性能，为未来高性能光电器件的设计提供指导。 这篇研究不仅展示了NEA GaN光电阴极的特性，还强调了工作模式选择的重要性，以及如何通过调整材料参数来优化量子效率。这对于深入理解光电子材料的工作原理，以及开发新型高性能光电器件具有重要的理论和实践意义。