IRLI2910PBF-VB：100V N沟道TrenchFET MOSFET技术规格

"IRLI2910PBF-VB是一种N沟道的100V TrenchFET功率MOSFET，采用TO220F封装，适用于隔离式DC/DC转换器等应用。这款MOSFET具有低热阻、175°C结温以及100%Rg测试的特性。其主要参数包括：最大漏源电压VDS为100V，当VGS=10V时的漏源导通电阻rDS(on)为0.034Ω，连续漏极电流ID在环境温度为25°C时可达50A，在125°C时为28A。此外，它还支持脉冲漏极电流IDM达到120A，雪崩电流IAS为31A，单脉冲雪崩能量EAS为61mJ，最大功率耗散PD在25°C时为360W。器件的热特性包括结到环境的热阻RthJA为40°C/W，结到壳体的热阻RthJC为0.4°C/W，符合RoHS标准。" IRLI2910PBF-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，采用先进的TrenchFET技术，这使得它在功率处理和热效率方面表现出色。TrenchFET技术通过在MOSFET的硅片上蚀刻出深沟槽，大大降低了栅极电荷，从而提高了开关速度并降低了导通电阻，使得IRLI2910PBF-VB在高频率应用中更加高效。 该器件的最大额定漏源电压VDS为100V，意味着它能够在高达100V的电压下安全工作。rDS(on)为0.034Ω（在VGS=10V时），这意味着在低电压下，它能提供非常低的导通电阻，从而在大电流传输时减少功率损耗。ID的最大连续电流值为50A，这使它适合于需要处理大电流的应用，如电源转换系统。 IRLI2910PBF-VB的耐热性能优秀，其结温范围为-55°C至175°C，且结到壳体的热阻RthJC仅为0.4°C/W，这意味着热量能迅速从器件内部散发出去，保证了器件在高温环境下也能稳定工作。另外，结到环境的热阻RthJA为40°C/W，这表示每增加1W的功率，器件的温度会上升40°C，因此在设计散热方案时需要考虑到这一点。 此MOSFET还通过了100%的Rg测试，确保了栅极绝缘层的质量，增强了器件的可靠性和长期稳定性。对于瞬态过载，IRLI2910PBF-VB的峰值脉冲漏极电流IDM为120A，而雪崩电流IAS为31A，这意味着它在短时间内的过载能力也较强。同时，它的单脉冲雪崩能量EAS为61mJ，表明在特定条件下，器件可以承受一定的雪崩能量而不受损。 IRLI2910PBF-VB的这些特性使其成为隔离式DC/DC转换器的理想选择，特别是在需要高效、高可靠性和良好热管理的电源设计中。由于其符合RoHS标准，这款MOSFET同时也满足了环保要求。IRLI2910PBF-VB是电力电子领域的一个强大组件，适用于各种需要高功率密度和低损耗的应用。