MOS动态移位寄存器在小型串联存贮器中的应用探索

"一个小型MOS串联存贮器的初步实践 (1975年) - 北京大学<<M05串联存贮器》毕业实践小组" 本文详细介绍了1975年一个由工农兵学员组成的小组在毕业实践中利用MOS动态移位寄存器设计小型串联存贮器的研究过程。他们旨在用这种技术取代当时DJ5-11计算机的磁芯宽行存贮器，以利用MOS集成电路的优势，如制造工艺简单、集成度高、功耗小和可靠性强。 在研究中，小组成员完成了以下关键任务： 1. MOS动态移位寄存器集成电路性能测试：他们采用的是40位动态移位寄存器集成电路，型号为DVJ-D40。该芯片的工作频率范围在1kHz到1MHz之间，工作电压为-12V至-18V，时钟脉冲幅度要求在18V至25V。考虑到实际应用，他们调整了部分参数，如将-ED引脚接地，衬底电压设为+12V，时钟脉冲幅度设定为24V。芯片的输出高电平约为+12V，低电平约为-12V。DVJ-D40由P沟道MOS管构成，包括40位移位寄存器和一个输出缓冲级。每位置包含6个MOS管，通过时钟脉冲CP1和CP2进行数据移位。 2. 外围电路设计与原型制作：这部分未提供具体细节，但可以推断小组设计了与DVJ-D40配套的电路，以实现数据的输入、存储和输出功能。 3. 宽行打印机的编辑设计：虽然主要关注的是存贮器，但小组可能还涉及了打印机接口的设计，以确保数据能够正确传输到打印设备。 4. 模型实验及稳定性初步考验：他们进行了实验以验证设计的可行性，同时评估了系统的稳定性，这是确保集成电路能够在实际环境中可靠运行的关键步骤。 测试内容包括： - 输出电压传输特性：使用特定的测试线路，观察时钟脉冲对输出电压的影响，评估其传输特性。 - 功耗和电流测量：确保功耗低于75mW，总工作电流小于2mA，以符合低功耗设计的要求。 - 温度稳定性测试：可能对芯片在不同温度下的工作性能进行了检查，以确保其在各种环境条件下的可靠性。 这个项目展示了MOS技术在早期计算机存储系统中的应用，以及工农兵学员在实践中的学习和创新能力。尽管资料有限，但可以看出他们在解决实际问题和推动科技进步方面所做出的努力。