英飞凌IPD30N03S4L-14汽车级增强型N沟道MOSFET技术规格

"IPD30N03S4L-14是英飞凌Infineon生产的一款电子元器件芯片，属于OptiMOS®-T2系列的功率晶体管，适用于汽车电子领域，已通过AECQ101认证，符合环保标准RoHS。这款芯片具备超低的导通电阻、耐高温以及出色的雪崩能量能力。其主要参数包括连续漏电流、脉冲漏电流、栅源电压、功率耗散等，并提供了在不同温度条件下的工作及储存范围。此外，它采用PG-TO252-3-11封装，便于安装和使用。" IPD30N03S4L-14是一款高性能的N沟道增强型场效应晶体管，特别适合在汽车电子系统中使用。由于其通过了AECQ101认证，意味着该芯片满足了汽车行业对高质量和可靠性的严格要求，可在极端环境下稳定工作。其最高工作温度可达175°C，具有优秀的热稳定性。 该芯片的最大连续漏电流（ID）在25°C时，当栅极电压VGS为10V时为30A，而在100°C时则降低至27A。脉冲漏电流（ID,pulse）在25°C下可达到120A，显示了其强大的瞬时电流处理能力。此外，单脉冲雪崩能量（EAS）在30A的电流下为16mJ，这意味着IPD30N03S4L-14具有良好的过载保护能力，能够承受一定的能量冲击而不致损坏。同时，单脉冲雪崩电流（IAS）在25°C时达到30A，进一步验证了其抗冲击能力。 栅源电压（VGS）的额定值为±16V，确保了控制电路的宽泛操作空间。最大功率耗散（Ptot）在25°C时为31W，这决定了该器件在特定散热条件下的工作极限。该芯片的热特性包括结壳热阻（RthJC）和结空气热阻（RthJA），分别代表了芯片内部到外壳以及到周围空气的热传递效率。 IPD30N03S4L-14采用PG-TO252-3-11封装，这种封装设计有助于提高散热性能，同时简化了安装过程。封装上的标记代码4N03L14便于识别和追踪。该芯片的典型应用可能包括电源管理、电机驱动、车载充电器以及其他需要高效能、低损耗功率转换的场合。 IPD30N03S4L-14是英飞凌Infineon推出的一款高性能、高可靠性的汽车级功率晶体管，其超低的导通电阻、宽广的工作温度范围和出色的耐冲击能力，使其成为汽车电子系统中理想的电源开关元件。