英飞凌SIGC12T120LE IGBT3芯片技术规格手册

"SIGC12T120LE 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册提供了关于英飞凌公司生产的IGBT3 Power Chip SIGC12T120LE的详细技术参数和应用信息。" 这篇文章将深入探讨SIGC12T120LE芯片的主要特性和应用，以及相关的机械和电气参数。 SIGC12T120LE是一款由英飞凌科技制造的IGBT（绝缘栅双极晶体管）芯片，采用1200V Trench+Field Stop技术。这种技术旨在提供更高的电压耐受能力，同时保持低关断损耗，这意味着在开关操作过程中，能量损失较低，提高了整体效率。此外，该芯片具有短尾电流特性，这有助于减少开关过程中的电流峰值，从而改善系统的动态性能。 芯片的正温度系数是一个重要的设计特点，它意味着随着温度升高，芯片的电阻增加，有助于防止过热和短路情况的发生，增强了系统的稳定性。易于并联设计是另一个亮点，使得多芯片系统能够更简单地集成和平衡电流分布。 SIGC12T120LE主要应用于功率模块，适用于电机驱动和其他电力电子应用。其电气参数包括：1200V的工作电压，8A的集电极-发射极饱和电流（IC），以及3.54x3.5mm²的晶圆尺寸。封装形式为saw on foil。 在机械参数方面，芯片的栅极尺寸为1.107x0.702mm²，发射极垫尺寸（包括门极垫）为2.028x2.028mm²。总面积为12.39mm²，其中有效面积为6.82mm²。芯片厚度为120微米，采用200mm直径的晶圆制造，每个晶圆最多可生产2243个芯片。正面采用Photoimide进行钝化处理，而背面金属层是NiAg系统，适合环氧树脂和软焊锡封装。建议采用电导性胶水或焊锡进行芯片键合，铝线键合的线径小于500微米。推荐的存储环境是在原始容器中，使用干燥氮气保存，并且在23°C的室温下储存不超过6个月。 SIGC12T120LE芯片是英飞凌科技针对高压、高效功率转换应用设计的一款先进IGBT产品。其独特的技术和机械设计确保了在高电压环境下的可靠性能，适用于电机驱动等关键应用。