静态随机存储器实验：理解SRAM工作原理与操作

"该资源是一份关于计算机组成原理的静态随机存储器实验指导文档，旨在帮助学生掌握SRAM的工作原理和读写操作。" 在计算机组成原理的学习中，静态随机存储器（Static Random Access Memory，简称SRAM）是一种重要的内存类型，以其高速读写和数据非易失性而著称。这个实验主要围绕6116型SRAM芯片展开，它是一个2K×8位的存储器，意味着它可以存储2048个8位的数据，并且每个存储单元都可以被快速访问。 实验目的在于让学生熟悉SRAM的基本操作，包括如何读取和写入数据。实验设备包括TDN-CM++计算机组成原理教学实验系统，用于模拟真实的硬件环境，以及一些必要的导线和控制设备。 实验原理部分详细介绍了6116 SRAM的内部结构和操作机制。该芯片有8条地址线（A0-A7）和8条数据线，地址线与74LS273地址锁存器连接，用于锁定和显示地址值；数据线则直接连接到数据总线上。此外，还有3条控制线：CE（Chip Enable，片选）、OE（Output Enable，读使能）和WE（Write Enable，写使能）。通过控制这些线的状态，可以实现对存储器的读写操作。在这个实验中，OE始终接地，所以读操作发生在WE=1时，写操作则在WE=0时进行。 实验内容分为两部分：向SRAM中写入数据和从SRAM中读取数据。在写入操作中，首先在AR寄存器中设定目标地址，然后将数据送入数据总线，数据会存入指定地址的存储单元并显示出来。读取操作类似，先设置地址，然后读取的数据会被送回数据总线并通过显示器显示。 实验步骤详述了如何设置实验条件以产生正确的时序信号。例如，通过连接时序电路模块的Φ和H23排针，设置“STOP”和“STEP”开关，调整脉冲宽度，确保T3脉冲符合实验要求，以控制SRAM的读写操作。 通过这个实验，学生不仅能够了解SRAM的基本工作原理，还能亲手操作，加深对计算机存储层次结构的理解，为后续深入学习计算机系统设计打下坚实的基础。