静态随机存储器实验:理解SRAM工作原理与操作

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0 下载量 104 浏览量 更新于2024-08-25 收藏 171KB PDF 举报
"该资源是一份关于计算机组成原理的静态随机存储器实验指导文档,旨在帮助学生掌握SRAM的工作原理和读写操作。" 在计算机组成原理的学习中,静态随机存储器(Static Random Access Memory,简称SRAM)是一种重要的内存类型,以其高速读写和数据非易失性而著称。这个实验主要围绕6116型SRAM芯片展开,它是一个2K×8位的存储器,意味着它可以存储2048个8位的数据,并且每个存储单元都可以被快速访问。 实验目的在于让学生熟悉SRAM的基本操作,包括如何读取和写入数据。实验设备包括TDN-CM++计算机组成原理教学实验系统,用于模拟真实的硬件环境,以及一些必要的导线和控制设备。 实验原理部分详细介绍了6116 SRAM的内部结构和操作机制。该芯片有8条地址线(A0-A7)和8条数据线,地址线与74LS273地址锁存器连接,用于锁定和显示地址值;数据线则直接连接到数据总线上。此外,还有3条控制线:CE(Chip Enable,片选)、OE(Output Enable,读使能)和WE(Write Enable,写使能)。通过控制这些线的状态,可以实现对存储器的读写操作。在这个实验中,OE始终接地,所以读操作发生在WE=1时,写操作则在WE=0时进行。 实验内容分为两部分:向SRAM中写入数据和从SRAM中读取数据。在写入操作中,首先在AR寄存器中设定目标地址,然后将数据送入数据总线,数据会存入指定地址的存储单元并显示出来。读取操作类似,先设置地址,然后读取的数据会被送回数据总线并通过显示器显示。 实验步骤详述了如何设置实验条件以产生正确的时序信号。例如,通过连接时序电路模块的Φ和H23排针,设置“STOP”和“STEP”开关,调整脉冲宽度,确保T3脉冲符合实验要求,以控制SRAM的读写操作。 通过这个实验,学生不仅能够了解SRAM的基本工作原理,还能亲手操作,加深对计算机存储层次结构的理解,为后续深入学习计算机系统设计打下坚实的基础。