新方法:基于高阶累积量检测晶体管g-r噪声的非高斯特性
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更新于2024-08-12
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本文主要探讨了利用高阶累积量判断晶体管g-r噪声的方法,发表于2001年的吉林工业大学自然科学学报。g-r噪声通常由晶体管制造过程中诸如PN结附近晶格缺陷和重金属杂质凝聚等缺陷引起,表现为不规则的脉冲噪声,与正态分布特征不符。
首先,文章强调了高阶累积量在信号处理中的重要性,特别是在区分高斯和非高斯过程方面。高阶累积量能够揭示随机变量的非线性特性,当随机变量的高阶矩不为零时,说明它并非来自高斯分布。通过比较任意随机变量与其对应正态随机变量的高阶矩差异,可以量化其偏离正态的程度,即测量其偏态。
在实际应用中,作者针对晶体管低频噪声中的g-r噪声,论证了这种噪声的分布是非高斯的。作者指出,图1中的噪声波形显示出明显的非独立性和脉冲效应,这些特性与正态分布的假设条件相违背。为了证实这一点,他们提出了通过计算晶体管低频噪声的高阶累积量来检测g-r噪声的新方法。
作者的实验验证了这一方法的有效性,即高阶累积量的非零值可以作为g-r噪声存在的指示器。这种方法相较于传统的基于功率谱和二阶累积量分析,提供了更精细的噪声特性分析手段,对于理解和控制晶体管噪声有着重要意义。
总结来说,这篇论文的核心内容是利用高阶累积量作为工具,揭示晶体管低频噪声中g-r噪声的非高斯特性,为噪声分析提供了一种新的诊断方法,这对于优化晶体管设计和提高其性能具有实用价值。同时,它也扩展了我们对噪声理论的理解,特别是对于噪声源识别和噪声抑制策略的发展具有理论支持。
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2021-06-12 上传
2019-08-12 上传
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2022-07-15 上传
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