三星DDR3L SDRAM K4B8G1646D规格详解

"K4B8G1646D-MYK0是三星电子生产的一款8Gb DDR3L SDRAM内存芯片，采用96引脚FBGA封装，符合无铅和无卤素的RoHS标准。该规格书适用于2016年1月的版本，可能会有未经通知的产品变更。" 此规格书主要涵盖了以下关键知识点： 1. **产品型号与规格**：K4B8G1646D-MYK0是一款8Gb（1GB）的DDR3L（低功耗DDR3）内存芯片，设计用于提供高效能和低能耗的数据处理能力。其中，“D-die”可能指的是采用特定的内存晶片设计。 2. **封装技术**：96FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array，细间距球栅阵列）封装意味着芯片的尺寸紧凑，引脚间距小，有助于提高电路板的空间利用率和信号传输效率。 3. **环保标准**：产品遵循Lead-Free（无铅）和Halogen-Free（无卤素）的RoHS（Restriction of Hazardous Substances，限制有害物质）指令，这表明该芯片符合欧洲环保法规，降低了对环境的影响，并确保了产品的可回收性。 4. **免责声明**：三星电子保留不提前通知即更改产品、信息和规格的权利，并明确表示提供的所有信息“按原样”提供，不提供任何明示或暗示的保证。这在商业实践中很常见，以防止因产品更新而产生的法律纠纷。 5. **知识产权**：文档和其中的信息是三星电子的独家财产，不通过此文档授予任何专利、版权、掩模工作、商标或其他知识产权的许可。 6. **应用限制**：三星产品不推荐用于生命支持、重症监护、医疗、安全设备等可能导致生命或人身伤害损失的应用，以及军事或国防应用，或受到特殊条款或规定约束的政府采购项目。 7. **信息获取**：用户应联系最近的三星办事处获取产品更新或更多信息。 8. **商标声明**：所有的品牌名称、商标和注册商标属于各自所有者，强调了三星对其知识产权的尊重。 K4B8G1646D-MYK0是三星的一款高性能、低功耗内存解决方案，适合各种需要高效数据处理但又对环保和安全有严格要求的场合。然而，它不适合那些要求绝对稳定性和高可靠性的应用，例如医疗和军事领域。用户在使用时需要考虑这些限制，并根据自身需求选择合适的产品。