英飞凌600V CoolMOS C7 芯片技术规格手册

"IPW60R017C7是英飞凌科技推出的一款600V CoolMOS C7系列功率MOSFET，适用于硬开关和软开关应用，如PFC（功率因数校正）和高性能LLC转换器。这款芯片采用超级结（Superjunction）技术，具有优异的性能指标。" 英飞凌的IPW60R017C7是一款基于超结原理设计的高电压功率MOSFET，它的出现标志着RDS(on)*A值首次低于1欧姆*平方毫米，这是技术的一大突破。RDS(on)是指在特定电流下MOSFET的导通电阻，而*A值则考虑了芯片面积，因此这个数值的降低意味着在相同尺寸的封装中，芯片的导通损耗更低。 此款MOSFET提升了MOSFET的dv/dt耐受能力，达到了120V/ns，这意味着它能承受更快的电压变化速率，从而允许更快速的开关操作，进一步提高系统的效率。此外，由于其最佳的FOM（.figure of merit，性能指标）RDS(on)*Eoss和RDS(on)*Qg，IPW60R017C7在减少开关损耗方面表现出色，这有助于提升整个电源系统的能效。 IPW60R017C7的封装为TO-247，这种封装设计有利于散热，确保在工业级应用中的稳定运行。根据JEDEC的标准（J-STD-20和JESD22），该芯片已经通过了工业级应用的资格认证，这意味着它能在各种恶劣的工作环境中保持可靠性和耐用性。 使用IPW60R017C7的优势在于，它可以用于PFC和PWM拓扑结构，提高经济性，同时其更高的dv/dt限制使得开关速度更快，进一步提高系统效率。此外，由于其优秀的RDS(on)和封装设计，可以实现更高的系统密度，降低整体系统成本，并且在高效率和小型化设计方面提供了更大的灵活性。 英飞凌的IPW60R017C7是一款集高效、快速、耐用于一身的高电压MOSFET，特别适合对开关速度和能效有高要求的电源转换系统，如电力供应、工业自动化、电动车充电基础设施等领域。其创新的超级结技术不仅优化了性能，也降低了系统级别的设计挑战，为工程师提供了强大的设计工具。