Hi3559V100/Hi3556V100快速启动优化技术详解

"该文档是关于海思Hi3559V100/Hi3556V100芯片的快速启动优化方法的汇总，旨在提高设备启动速度的同时保持易开发性。文档提供了启动流程图和优化方法一览表，涵盖了硬件和软件优化策略。" 快速启动优化方法： 1. POR (Power-On Reset)：这是系统启动的第一步，通过优化复位芯片可以减少芯片复位的时间，从而加快启动过程。 2. Mini-uboot 初始化：在启动流程中，Mini-uboot 负责初始化工作，优化这部分可以缩短启动时间。例如，采用高性能的FLASH器件能提升镜像读取速度，直接影响uboot和Kernel的启动时间。 3. Huawei LiteOS 镜像加载：LiteOS作为一个轻量级操作系统，它的快速加载对于整体启动速度至关重要。优化系统参数加载可以进一步提升启动效率。 4. Mini-Kernel 和 Mini-Rootfs 加载：Mini-Kernel的加载和Mini-Rootfs的初始化是启动过程的关键环节，它们负责基本系统的运行环境。选择高性能的DDR器件（如DDR4）可以显著减少DDR Training时间，提高启动速度。 5. 双核通讯：在双核处理器中，A7核和A17核之间的通信优化也对启动时间有影响。非快启业务启动和动态库的加载需要在这一步之后进行，确保核心间的协同工作高效。 快速启动总体优化原则强调在保证启动速度的同时，兼顾开发的便利性。硬件优化包括选择合适的外部复位芯片、高性能FLASH器件和DDR内存。软件优化则涉及到uboot和LiteOS的精简与优化，以及启动流程的合理安排。 优化的收益表现在减少启动时间上，如采用高性能FLASH器件可以节省约3000毫秒，而采用DDR4可以减少约300毫秒的DDR Training时间。 需要注意的是，本文档中的优化手段仅供参考，实际应用时需根据产品具体需求进行选择，并进行严格的验证。优化可能带来的风险需要自行承担。此外，文档的版本更新可能会包含新的优化措施和注意事项，使用者应保持关注。 此文档是海思半导体为开发者提供的技术指南，详细解释了快速启动方案的原理、操作步骤和注意事项，为Hi3559V100和Hi3556V100系列芯片的快速启动提供了实用的指导。