500℃与0.2Pa下GZO薄膜的最优性能：射频磁控溅射下的关键参数

本文主要探讨了基体温度和氩气压强对射频磁控溅射法制备GZO（Gadoped ZnO，掺镓氧化锌）薄膜性能的影响。GZO作为一种重要的透明导电材料，在电子器件领域有着广泛的应用，如触摸屏、太阳能电池和LED照明等。作者采用含有1% Ga2O3的ZnO靶材，通过射频磁控溅射技术进行薄膜制备。 研究发现，基体温度和氩气压强这两个参数对于GZO薄膜的晶体结构和光电性能具有显著影响。具体来说，较高的基体温度可以促进原子的激活和排列，从而改善薄膜的结晶质量，而氩气压强则影响着溅射过程中气体的去耦效应和能量传输。通过实验，当基体温度设定为500℃，氩气压强为0.2 Pa时，制备出的GZO薄膜表现出最优的光电性能，表现为较低的方块电阻（7.8 Ω/□），电阻率仅为8.58×10-4 Ω·cm，这意味着该薄膜的导电性能良好。同时，可见光的平均透过率高达89.1%，确保了良好的光学特性，这对于需要高透光性的应用至关重要。 论文还指出，这项研究得到了武汉市重点科技攻关计划的资助，说明了该领域的技术进步和科研投入对实际产业发展的推动作用。何翔教授和熊黎的研究成果不仅为优化GZO薄膜的制备工艺提供了科学依据，也为其他研究人员在类似材料的薄膜制备中提供了参考。此外，论文采用了国际通用的关键词，如“基体温度”、“氩气压强”、“GZO薄膜”、“透过率”和“电阻率”，方便读者检索和理解研究内容。 这篇2011年发表的文章深入分析了射频磁控溅射法在GZO薄膜制备中的关键参数控制，对于提高薄膜性能和优化生产过程具有重要的理论价值和实践指导意义。