英飞凌OptiMOS® P-Channel功率晶体管BSO201SPH技术规格

"BSO201SPH是一款由英飞凌科技公司(Infineon)制造的OptiMOS® P-Power Transistor。这款单通道P沟道MOSFET芯片封装在SO8（小外形8引脚）封装中，适用于多种目标应用，并通过了JEDEC认证。其主要特性包括150°C的工作温度、2.5V的Super Logic Level驱动电压、无铅电镀、符合RoHS标准以及不含卤素，符合IEC61249-2-21的规定。" BSO201SPH的主要规格和性能如下： 1. **最大额定值**： - 在25°C下，持续漏电流(ID)在不同栅极电压(VGS)下有所不同，最大值可达到14.9A，但随着温度升高会有所降低。 - 瞬态脉冲漏电流(ID, pulse)在25°C时也有相应的数值。 - 单脉冲雪崩能量(EAS)在ID=-14.9A，RGS=25Ω时为特定毫焦耳值。 - 栅源电压(VGS)的最大值未给出，但给出了不同条件下RDS(on)，即漏极到源极的导通电阻，这影响开关性能和功耗。 - 功率损耗(Ptot)在25°C时的最大值为2.5W。 2. **工作与储存温度**： - 芯片的工作结温(Tj)和储存温度(Tstg)范围为-55°C至150°C。 3. **电气保护**： - 静电放电(ESD)等级符合JESD22-A114HBM标准，确保设备在处理过程中不会因静电损伤。 - 锡焊温度为260°C，符合IEC的气候类别标准55/150/56。 4. **包装与标识**： - 封装类型为PG-DSO-8，标记代码为201SP。 5. **环保特性**： - BSO201SPH是无铅且不含卤素的，符合环保要求。 6. **产品概述**： - 提供无铅干燥包装。 - 文件版本为Rev.1.32，发布日期为2009年12月21日。 BSO201SPH是一款高性能的P沟道MOSFET，适合在高温环境下工作，适用于需要高效能和低功耗的电源管理应用。其独特的特性和电气参数使其在电子设计中具有广泛的应用前景。