TC58NVG0S3E：1GB 3.3V NAND E2PROM: 2112B Register & 1Gbit Storage

TC58NVG0S3E是一款专为IT行业设计的高性能单片3.3伏特1吉比特（1,107,296,256位）电可擦除和可编程只读存储器（NAND E2PROM）。这款产品由东芝公司制造，针对的是对高密度、非易失性数据存储有严格要求的应用，如固态文件存储、语音录音、数码相机图像文件记忆以及其他需要大容量内存的系统。 该NAND E2PROM采用了独特的2048+64字节乘以64页再乘以1024块的组织架构，使得数据存储和管理极为高效。其中包含两个2112字节的静态寄存器，这些寄存器支持数据在寄存器与存储阵列之间进行按2112字节的批量传输，提高了数据处理速度。 TC58NVG0S3E采用了串行接口设计，这意味着地址和数据输入/输出以及命令输入都通过I/O引脚实现，简化了系统的布线需求。其内置的自动擦除和编程功能，使得操作更加便捷，尤其适合那些对数据一致性要求高的应用场景，无需用户手动干预，大大节省了开发时间和复杂度。 此外，这款设备的特点包括： - 存储单元组织：每个存储单元是8位宽，总共有2112个独立的存储单元组成一个64K字节（128K字节加上4K字节）的块。 - 寄存器部分：有两个2112字节的寄存器，用于数据的暂存和传输。 - 页面大小：每个页面可以存储2112字节的数据。 - 块大小：一个完整的存储块包含128K字节加上4K字节，即2112字节。 TC58NVG0S3E凭借其高速度、大容量、易用性和稳定性，成为现代电子设备中不可或缺的非易失性存储解决方案，特别适合于对存储性能要求苛刻的嵌入式系统和数据密集型应用领域。