海力士HY5DU12822D、HY5DU121622D DDR SDRAM技术规格详解

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"海力士(Hynix)的HY5DU121622DTP-xI和HY5DU12822DTP-xI是536,870,912位CMOS双倍速率(DDR)同步动态随机存取存储器(SDRAM),适用于需要大内存密度和高带宽的主要内存应用。这些512Mb DDR SDRAM支持在时钟的上升沿和下降沿完全同步操作,地址和控制输入在时钟的上升沿(或下降沿)被锁存,数据、数据 strobes 和写数据掩码输入在时钟的两个边沿进行采样。数据路径内部采用流水线和2位预取技术,实现了极高的带宽。所有输入和输出电压水平与SSTL_2兼容。" 海力士的这两款DRAM芯片是专为高性能计算和存储需求设计的。DDR SDRAM的核心特性在于其双倍数据速率,即数据在时钟的上升沿和下降沿都被处理,这极大地提高了数据传输速率,满足了高带宽应用的需求。HY5DU12822DTP-xI和HY5DU121622DTP-xI之间的主要区别在于内存容量,前者为512兆比特(512M x 16),后者为512兆比特(512M x 32)。这意味着前者有512兆字节的存储空间,而后者则提供双倍的存储容量。 内部的流水线和2位预取技术是提高性能的关键因素。流水线技术允许数据在多个阶段同时处理,从而减少了延迟并增加了吞吐量。2位预取意味着芯片一次可以处理2位数据,进一步提升数据传输效率。 这些器件的地址和控制输入在时钟上升沿被捕捉,而数据、数据 strobes(数据对齐信号)以及写数据掩码输入则在时钟的两个边沿都进行采样,确保了高速操作下的精确同步。此外,它们的电压等级与SSTL_2(Stub Series Terminated Logic level 2)兼容,这是一种低功耗、高性能的接口标准,常用于高速内存接口。 需要注意的是,这份数据手册是初步版本,可能随时会有更新,且海力士半导体不对所描述的电路使用负有责任,也不暗示任何专利许可。使用者应根据最新的数据手册和相关指导进行设计和应用。 总结来说,HY5DU12822DTP-xI和HY5DU121622DTP-xI是高性能、高密度的DDR SDRAM芯片,适用于需要快速存取大量数据的应用,如服务器、工作站、高端个人计算机以及图形处理等领域。它们通过先进的同步操作、流水线技术和预取机制来实现高效的数据传输,并且符合低功耗的SSTL_2接口标准。