SST25VF016B：高速低功耗串行闪存技术规格

"SST25VF016B中文手册" SST25VF016B是一款由Microchip Technology公司生产的串行闪存芯片，它主要用于存储数据并在各种电子设备中提供非易失性存储解决方案。这款芯片具有多种特性，使其在各种应用中表现出色。 首先，SST25VF016B支持单电压读写操作，工作电压范围为2.7V至3.6V，这使得它能够在广泛的电源条件下稳定工作。其串行接口架构兼容SPI（Serial Peripheral Interface），支持模式0和模式3，简化了与微控制器或其他系统的集成。 该芯片的高速时钟频率可达80MHz，确保了快速的数据传输速度。它的超高可靠性体现在两个方面：可擦写次数达到100,000次，远超过一般需求；数据保存时间超过100年，这意味着即使在长时间未通电的情况下，存储的数据也能保持完整。 在功耗方面，SST25VF016B表现优秀。读操作时的工作电流仅为10mA（典型值），待机电流低至5µA（典型值），这在电池供电或能源受限的设备中尤其重要。此外，它还提供了灵活的擦除功能，包括4KB扇区、32KB和64KB覆盖块，以适应不同大小的擦除需求。快速的擦除和字节编程功能使得全片擦除只需35ms，扇区/块擦除只需18ms，字节编程仅需7µs。 为了优化编程效率，SST25VF016B支持自动地址递增（AAI）编程，减少了字节编程操作的总时间。同时，写操作结束可以通过软件轮询状态寄存器的BUSY位或在AAI模式下通过SO引脚读取忙状态来检测。该芯片还提供了保持引脚（HOLD#）和写保护引脚（WP#）功能，以控制和保护数据安全。保持引脚允许在不取消选择器件的情况下暂停串行序列，而写保护引脚则可以启用或禁用状态寄存器的锁定功能，防止意外修改。 此外，SST25VF016B提供软件写保护，通过状态寄存器中的块保护位来实现，用户可以根据需要设置特定区域的数据不可修改。这款芯片的工作温度范围涵盖商业级（0°C至+70°C）和工业级（-40°C至+85°C），适应性强。它有8引脚SOIC和8触点WSON两种封装形式，且符合RoHS标准，对环境友好。 SST25VF016B基于SST的SuperFlash®技术制造，这种高性能CMOS技术采用了分离栅极单元设计和厚氧化层隧穿注入器，保证了更高的可靠性和制造稳定性。SST25VF016B是一款高效、可靠、低功耗的串行闪存解决方案，适用于需要大量非易失性存储的应用场景，如嵌入式系统、物联网设备、汽车电子等。