利用Ternary ReS2(1-x)Se2x合金被动Q开关和锁模掺铒全光纤激光器

"使用Ternary ReS2(1-x)Se2x合金作为饱和吸收体（SAs）的被动Q开关和模式锁定掺铒全光纤激光器的研究" 这篇研究报道了利用Ternary ReS2(1-x)Se2x合金作为饱和吸收体在被动Q开关和模式锁定掺铒全光纤激光器中的应用。Ternary ReS2(1-x)Se2x是一种三元复合材料，其中x表示Se在ReS2中的掺杂比例。这种材料因其独特的光学特性，如可调的吸收系数和非线性光学响应，成为激光技术中的理想选择。 首先，文章提到了该薄膜SA的调制深度（modulation depth）为1.8%，这意味着当激光功率增加到一定程度时，该吸收体会经历饱和，允许激光通过。饱和吸收强度（saturable intensity）为0.046 MW/cm2，这表示达到吸收饱和所需的激光功率密度。 在Q开关机制下，激光器输出的脉冲中心波长为1531.1纳米，具有最大脉冲能量28.29 nJ和最小脉宽1.07微秒的特性。Q开关是通过周期性地改变激光谐振腔的损耗来控制激光脉冲的产生，从而产生高能短脉冲。 在模式锁定操作中，激光器产生的脉冲中心波长移动至1561.15纳米，脉宽显著减小至888飞秒，显示出超短脉冲特性。此外，模式锁定激光器的重复频率为2.95 MHz，这意味着每秒钟有2.95百万个脉冲被产生。模式锁定是通过使激光谐振腔内的脉冲以固定的时间间隔稳定重复来实现的，可以产生超短且均匀的脉冲序列。 这些实验结果表明，Ternary ReS2(1-x)Se2x合金作为饱和吸收体在激光器中展现出优秀的性能，为构建高性能、可调谐的光纤激光器提供了新的可能性。这一研究对光纤通信、精密测量、生物医学成像以及光子学领域的其他应用具有重要意义。 这篇研究强调了Ternary ReS2(1-x)Se2x材料在被动Q开关和模式锁定激光器中的潜在价值，并展示了其在实现高效、超快激光脉冲生成方面的优势。通过调整Se的掺杂比例，可以进一步优化这些器件的性能，满足不同应用的需求。