Spansion S25FL系列Flash存储器技术规格详解
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更新于2024-07-25
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"该文档是SPANSION公司关于128M、256M和512M闪存芯片的详细数据手册,主要涵盖了SPI接口、读取模式和编程特性等内容。"
在该文档中,SPANSION介绍了其正在开发的产品,尽管产品可能在没有通知的情况下发生变化或被终止,但目前提供的信息对于评估这些闪存解决方案非常有用。以下是文档中提到的关键技术细节:
1. **Serial Peripheral Interface (SPI)**:
- 支持SPI模式0(0,0)和3(1,1),这两种模式分别定义了时钟极性和采样边缘。
- 扩展地址选项,支持24位或32位地址,这允许访问大容量的闪存存储空间。
- 串行命令集和引脚配置与S25FL-A和S25FL-P SPI家族兼容,保证了与现有系统的兼容性。
- 提供多I/O命令集和引脚配置,与S25FL-P SPI家族相匹配,以实现更高效的数据传输。
- 实现JEDEC标准的RDID(9Fh)、RDID+(90h)和RES(ABh)命令,用于识别制造商和设备ID。
2. **READ Modes**:
- **Normal READ**: 最高可达50MHz SCK(串行时钟),适合基本的读取操作。
- **FAST READ**: 使用串行单数据速率(SDR),最高可达133MHz SCK或16.6MB/s的数据传输速率。
- **DUAL READ**: 采用SDR,最高可达104MHz SCK或26MB/s的数据传输速率,通过使用两路数据线来提高速度。
- **QUAD READ**: 同样是SDR,最高可达104MHz SCK或52MB/s,利用四路数据线进一步加速。
- **FAST DDR READ**: 串行双数据速率(DDR),达到80MHz或20MB/s的速度。
- **DUAL DDR READ**: 达到80MHz或40MB/s,双数据线DDR模式。
- **QUAD DDR READ**: 达到80MHz或80MB/s,四数据线DDR模式,提供最高的读取速度。
- **Auto Boot**: 设备在上电或复位后自动进入正常读取模式,简化系统初始化流程。
3. **Programming**:
- 编程速度高达1.5MBytes/s,快速的编程能力减少了等待时间。
- 512字节的编程缓冲区,优化了小批量数据写入的效率。
- 单页编程在典型情况下仅需340微秒,提高了编程效率。
- 除了单输入编程外,还支持QUAD-Input Page Program,利用四路数据线进行并行编程,显著加快编程速度。
该文档提供了SPANSION新型闪存芯片的详细规格,包括高速SPI接口、多种读取模式和高效的编程特性,适用于需要高性能存储解决方案的嵌入式系统设计。这些芯片可以应用于各种领域,如汽车电子、工业控制、网络设备和消费电子产品等。
2010-04-20 上传
2011-01-14 上传
2013-11-19 上传
2015-04-01 上传
2019-09-22 上传
2013-04-26 上传
2013-11-19 上传
2024-11-18 上传
hanqiyun9999
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