三星DDR2 SDRAM K4T1G084QE规格说明书

"DDR2 SDRAM Datasheet - K4T1G084QE, K4T1G164QE" DDR2 SDRAM（Double Data Rate Second Synchronous Dynamic Random-Access Memory）是一种内存技术，相较于DDR（第一代DDR SDRAM）在数据传输速度上有显著提升。DDR2 SDRAM通过在时钟周期的上升沿和下降沿同时传输数据，实现了双倍的数据速率。这使得它在相同的工作频率下，比DDR SDRAM拥有更高的带宽，从而提高了系统性能。 K4T1G084QE和K4T1G164QE是三星（Samsung Electronics）生产的DDR2 SDRAM芯片型号。根据提供的信息，这些芯片具有以下特性： 1. **容量**：K4T1G084QE和K4T1G164QE可能代表不同容量的内存模块。通常，内存芯片的命名会包含关于其容量的信息。例如，"1Gb"可能表示每个芯片有1千兆位（1 Gb = 128 MB）的存储容量。 2. **封装类型**：这两种芯片采用了60FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）和84FBGA封装技术，这是一种在小型化和高密度电子组件中常见的封装形式，可以提供更多的引脚来连接电路板，同时保持较小的体积。 3. **环保标准**：产品被标记为"Lead-Free & Halogen-Free"，这意味着它们符合RoHS（Restriction of Hazardous Substances）指令，不含有铅和卤素，对环境友好。 4. **版本和发布日期**：Rev.1.1表明这是该产品的第1.1版规格，发布于2008年12月。这可能意味着存在早期版本，并且三星保留了更改产品或规格的权利，而无需提前通知。 5. **知识产权声明**：文档中的信息仅与三星产品相关，可能会随时更新，但不构成任何知识产权的明示或暗示许可。 6. **应用警告**：三星明确指出其产品不适用于生命支持、重症监护、医疗、安全设备或类似应用，因为产品故障可能导致生命或人身伤害。同样，这些产品也不适用于军事或国防应用，或者受到特殊条款和规定约束的政府采购项目。 7. **获取更多信息**：对于三星产品的更新或附加信息，建议联系最近的三星办公室。 K4T1G084QE和K4T1G164QE是三星的DDR2 SDRAM芯片，具有高速数据传输能力，适用于需要高效内存性能的系统，同时满足环保标准。然而，它们并不适合在关键任务或生命安全相关的应用中使用。设计者在选择内存组件时，应充分考虑这些芯片的适用范围和限制。