英飞凌IRFP260N功率MOSFET中文规格手册：卓越性能与低阻值特点

IRFP260N是一款由英飞凌（INFINEON）生产的HEXFET（高压场效应晶体管）功率MOSFET，它专为高效率和高性能应用设计。这款器件的特点在于其采用先进的制造工艺，实现了极低的栅极到源极电阻（Rds(on)），这使得在相同电压下可以处理更大的电流，从而提高开关速度并减少能量损耗。 以下是IRFP260N的主要技术规格： 1. **连续工作条件**： - **ID（漏极电流）@25°C**：在10V的栅极电压（VGS）下，允许的最大连续漏极电流为50A。 - **ID（漏极电流）@100°C**：在高温下（100°C），该参数降为35A，体现了器件的热阻抗性能。 2. **脉冲工作能力**： - **IDM（最大脉冲漏极电流）**：在短时间内，该器件能够承受的峰值脉冲电流为200A。 - **PD（瞬时功率）@25°C**：最大功率消耗为300W，但必须注意线性降额因子（每度升高1°C下降2.0W），意味着必须考虑温度对功率限制的影响。 3. **电压和耐受能力**： - **VGS（栅极到源极电压）**：工作范围为±20V，保证了器件在宽广的电压控制下稳定运行。 - **EAS（单脉冲雪崩能量）**：单次雪崩事件的能量阈值为560mJ，衡量了设备的过载保护能力。 - **IAR（雪崩电流）**：允许的最大雪崩电流为50A，用于评估短时间内的过流保护。 - **EAR（重复雪崩能量）**：反复雪崩事件的能量阈值为30mJ，代表长期工作的安全边界。 4. **恢复特性**： - **dv/dt（峰态恢复di/dt）**：快速恢复时间，表明器件能有效处理陡峭的电压变化，这对于高频应用至关重要。 5. **温度管理**： - **TJ（操作结温）**：器件在正常工作中的结温范围为-55°C至+175°C。 - **TSTG（存储温度范围）**：器件长时间存储的安全温度范围。 - **Soldering Temperature**：焊接温度为300°C，建议与封装距离至少1.6mm以保证散热。 6. **热阻抗**： - **RθJC（结到壳体热阻）**：衡量结温与外壳之间的热量传递，典型值为0.50°C/W。 - **RθCS（壳体到散热器热阻）**：壳体与散热器间的热阻，对于有效散热很重要，典型值为0.24°C/W。 - **RθJA（结到环境热阻）**：结温与环境温度之间的热阻，代表器件的整体散热性能，典型值为40°C/W。 IRFP260N英飞凌HEXFET是一款高性能的功率开关器件，适用于那些需要低导通电阻、快速切换和良好散热管理的工业级应用，如电机驱动、电源转换和信号放大等领域。在实际使用时，必须遵循制造商的指导，考虑到温度限制和安全裕度，以确保设备的可靠性和寿命。