BSS138LT3G-VB:N沟道低阈值SOT23 MOSFET特性与应用
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更新于2024-08-03
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"BSS138LT3G-VB是一种N沟道60V SOT23封装的MOSFET,具有低阈值电压、低输入电容、快速开关速度、低输入和输出泄漏电流以及1200V ESD保护等特点。这款器件适用于逻辑级接口、驱动器、电池供电系统和固态继电器等应用。"
BSS138LT3G-VB是博通(Broadcom)公司生产的一款高性能、小型化的MOSFET,其主要特性包括:
1. **低阈值电压**:该MOSFET的阈值电压仅为2V(典型值),这意味着它可以在较低的栅极电压下开启,非常适合在低电压环境中使用。
2. **低输入电容**:其低至25pF的输入电容使得开关速度更快,减少了信号传输的延迟,提高了电路的响应速度。
3. **快速开关速度**:开关速度为25ns,这使得BSS138LT3G-VB在高速电路中表现出色,能够有效地处理高频信号。
4. **低输入和输出泄漏电流**:低泄漏电流特性降低了功耗,同时提高了电路的稳定性,特别是在静态工作状态时。
5. **TrenchFET®技术**:采用TrenchFET®功率MOSFET技术,通过在硅片上形成深沟槽结构,减小了导通电阻,提高了效率并降低了发热。
6. **1200V ESD保护**:提供高达1200V的静电放电保护,增强了器件对ESD事件的耐受能力,增加了系统可靠性。
7. **RoHS兼容**:符合RoHS指令2002/95/EC的要求,不含有害物质,符合环保标准。
8. **应用广泛**:适用于直接与TTL/CMOS逻辑电平接口,驱动各种元件如继电器、电磁铁、灯泡、锤子、显示器、内存和晶体管等,并适用于电池供电系统和固态继电器。
9. **封装形式**:采用SOT-23封装,体积小巧,便于在PCB板上安装。
10. **工作条件**:连续漏源电流ID在25°C时为250mA,在100°C时为150mA,最大漏源电压VDS为60V,门源电压VGS的极限为±20V。
BSS138LT3G-VB是一款理想的逻辑级驱动元件,其性能特点使其在各种电子设备和控制系统中都有广泛的应用。由于其小巧的封装和优秀的电气特性,它特别适合于需要高效、快速和低功耗操作的场合。
2023-12-29 上传
2024-01-02 上传
2023-05-24 上传
2023-06-03 上传
2024-06-28 上传
2023-05-23 上传
2023-06-03 上传
2023-06-08 上传
2024-08-01 上传
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