英飞凌IAUZ40N10S5L120 OptiMOS™-5 功率MOSFET技术规格

"IAUZ40N10S5L120是英飞凌科技公司生产的OptiMOS™-5系列的一款N沟道增强模式逻辑电平的功率MOSFET，适用于汽车应用。这款芯片具有耐高温、环保、通过Avalanche测试等特点，并提供了详细的规格参数，如最大额定值、工作温度范围以及热特性等。" 本文将详细介绍IAUZ40N10S5L120的主要特性和技术参数。 1. **主要特性** - OptiMOS™技术：OptiMOS™是英飞凌的一种优化的MOSFET技术，它提供低导通电阻和高效率，适合在汽车应用中使用。 - N通道增强模式逻辑电平：这种设计使得该MOSFET可以用较低的栅极电压控制，便于与逻辑电路集成。 - MSL1级别：表示其湿度敏感度等级，能承受260°C的峰值再流温度。 - 高工作温度：可在175°C的高温环境下持续工作。 - 环保认证：符合RoHS标准，属于绿色产品。 - 100% Avalanche测试：确保了芯片在过载条件下的稳定性。 2. **最大额定值** - **漏源电压(VDS)**：100V，这是MOSFET在正常工作时允许的最大电压。 - **最大漏极电流(ID)**：在VGS=10V且芯片限制条件下，连续工作时的最大电流为46A；在VGS=10V，环境温度Ta=85°C时，DC电流为40A。 - **脉冲漏极电流(ID,pulse)**：在TC=25°C时，可短暂承受的最大脉冲电流为160A。 - **栅源电压(VGS)**：±20V，这是MOSFET允许的最大栅极-源极电压。 - **总功率耗散(Ptot)**：在25°C时，最大允许的功率损耗为62W。 3. **热特性** - **结-壳热阻(RthJC)**：2.4K/W，这表明了芯片内部产生的热量传递到外壳的效率。 - **结-环境热阻(RthJA)**：未给出具体数值，但这是一个重要的参数，影响MOSFET的散热性能。 4. **安全参数** - **Avalanche能量(EAS)**：对于ID=20A的单脉冲，最大允许的雪崩能量为33mJ。 - **Avalanche电流(IAS)**：单脉冲时的最大雪崩电流未给出具体值，但表明了芯片承受雪崩击穿的能力。 5. **封装信息** - 采用PG-TSDSON-8-33封装，标记为5N1L120。 6. **工作和存储温度** - **操作和存储温度范围(Tj,Tstg)**：-55°C到+175°C，确保了在宽温度范围内工作的可靠性。 7. **RDS(on),max**：在ID=40A时，最大漏极-源极导通电阻为12mΩ，这个参数直接影响MOSFET在开关应用中的功耗和效率。 IAUZ40N10S5L120是一款高性能的汽车级功率MOSFET，适用于需要高效率和高可靠性的电源管理电路。其优秀的热性能和耐压能力，以及对环境友好性的考虑，使其成为汽车电子系统中的理想选择。