CES2313-VB：P沟道30V MOSFET，适用于移动计算

"CES2313-VB是一款P沟道的30V MOSFET，采用SOT23封装，适用于移动计算设备如负载开关、笔记本适配器开关和DC/DC转换器。该器件是TrenchFET PowerMOSFET技术的产物，具有100%栅极电阻测试，并在特定条件下进行热性能评估。" 正文： CES2313-VB是一款由Cypress Semiconductor或其类似制造商生产的高性能场效应管，属于P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。它采用了先进的TrenchFET技术，这种技术通过在硅片上蚀刻出微小的沟槽结构，提高了器件的开关性能和效率，同时降低了导通电阻，使得在低电压应用中表现更出色。 这款MOSFET的主要特性包括一个-30V的漏源电压（VDS）额定值，这意味着它能够在30V的电压下正常工作，防止过电压损坏。其典型的RDS(on)在不同的栅极电压下有所不同：在VGS = -10V时为0.046Ω，VGS = -6V时为0.049Ω，而VGS = -4.5V时为0.054Ω。RDS(on)是衡量MOSFET导通状态下的电阻，数值越低，导通状态下的功率损失越小，效率越高。 ID（连续漏电流）在不同温度和条件下也有变化，例如在25°C时，ID的最大值为5.6A，而在70°C时则降低至5.1A。IDM（脉冲漏电流）在100µs脉冲宽度下可达到18A，表明它能处理短期大电流的脉冲负载。此外，连续源漏二极管电流IS的最大值为2.1A，这反映了MOSFET内部二极管的电流承载能力。 在热性能方面，器件的最大功率耗散（PD）在25°C时为2.5W，而在70°C时降至1.6W。这需要考虑在实际应用中的散热设计，以确保器件不会过热。相应的，器件的热阻（θJA）是一个关键参数，它影响了器件的散热效率。虽然没有给出具体的θJA值，但提到在不同条件下的最大结温（TJ）和存储温度范围为-55°C到150°C，这提醒我们在设计电路时必须考虑到环境温度对器件的影响。 CES2313-VB场效应管因其小巧的SOT23封装、低导通电阻和高效的TrenchFET技术，特别适合用于便携式电子设备的电源管理，如在移动计算设备的负载开关、笔记本适配器开关和直流-直流转换器等应用场景。其良好的热管理和电流处理能力确保了在各种工作条件下的稳定性和可靠性。