1Gb DDR2 SDRAM技术规格书

"K4T1G164QE-HEC6.pdf 是关于1Gb DDR2 SDRAM的规格说明书，由三星电子发布。这份文档提供了关于32Mbit x 4 I/Os x 8 banks、16Mbit x 8 I/Os x 8 banks或8Mbit x 16 I/Os x 8 banks设备的详细信息，旨在实现高达667Mb/sec/pin的双倍数据速率传输速度（DDR2-667），适用于各类应用。文档内容包括订购信息、关键特性、电气特性、操作条件、封装信息等。请注意，三星产品并不适用于生命支持、医疗、安全设备等对产品故障可能导致生命或人身伤害的应用，且三星保留随时更改产品或规格的权利。" DDR2 SDRAM是第二代同步动态随机存取内存，它在DDR（Double Data Rate）的基础上进一步提升了数据传输速率。这款1Gb DDR2 SDRAM芯片具有高密度存储结构，组织形式多样，可适应不同的系统需求。其中，32Mbit x 4 I/Os x 8 banks表示每个bank有32Mbit的存储容量，4个I/O（输入/输出）接口，并且有8个bank，这样的设计可以提供更高的并行访问能力，从而提高内存的读写速度。 文档提到的667Mb/sec/pin的数据传输速率是指DDR2-667标准，意味着该内存可以在每个时钟周期的上升沿和下降沿传输数据，总数据传输速率为667Mbps。这比标准DDR内存的400MHz工作频率有了显著提升，对于需要高速数据处理的系统来说，这种内存芯片是理想的。 此外，文档还强调了知识产权和许可的问题，指出文档中的信息不构成任何知识产权的授予，并且产品提供的是“原样”基础，没有保证或担保。三星电子明确表示，其产品不适用于那些产品故障可能造成生命或人身伤害的场合，如生命支持系统、关键医疗设备或军事防御应用。 文档内容涵盖订购信息、关键特性、电气特性、操作条件和封装信息等，这些都是设计和使用DDR2 SDRAM时需要考虑的重要参数。例如，电气特性将详细说明内存的工作电压、电流限制以及信号电平等，操作条件会包含温度范围、电源稳定性要求等。封装信息则涉及到内存芯片的实际物理形状和引脚布局，对于硬件设计师来说是安装和连接的关键。 K4T1G164QE-HEC6.pdf是了解和使用1Gb DDR2 SDRAM芯片的重要参考资料，提供了全面的技术规格和注意事项，有助于工程师们正确选择和使用这款内存芯片。