英飞凌BSS138N芯片中文规格书：N沟道增强型逻辑级MOSFET

"BSS138N INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf" 这篇文档是关于英飞凌（INFINEON）公司生产的BSS138N芯片的中文规格书，该芯片是一款SIPMOS（Single Inline MOSFET，单列直插式金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于小信号传输。以下是其关键特性和技术参数： 1. 特性： - **N沟道**：BSS138N是N沟道增强型MOSFET，这意味着它在栅极电压高于阈值时导通。 - **逻辑电平**：它支持低电压逻辑控制，适合在数字电路中使用。 - **dv/dt耐受**：能承受较高的漏极-源极电压变化率，增加了应用的鲁棒性。 - **无铅电镀**：符合RoHS标准，无铅且环保。 - **AEC-Q101认证**：满足汽车电子行业的质量要求，确保可靠性。 - **无卤素**：符合IEC61249-2-21标准，不含卤素。 2. 封装与标识： - **PG-SOT-23封装**：小型化封装，适合空间有限的应用。 - **Tape and Reel**：采用卷盘包装，方便自动贴片机使用。 - **Marking**：芯片上印有"BSS138N"标识，便于识别。 3. 技术参数： - **最大漏极-源极电压（VDS）**：60V，保证了芯片在高电压环境下的工作能力。 - **最大漏极电阻（RDS(on)）**：典型值为3.5欧姆，意味着低导通电阻，有利于减少功率损耗。 - **连续漏极电流（ID）**：在25°C下为0.23A，70°C下为0.18A，表明芯片的持续电流处理能力。 - **脉冲漏极电流（ID,pulse）**：25°C下可承受0.92A的脉冲电流。 - **反向二极管dv/dt**：在特定条件下，芯片能承受高达6kV/μs的反向电压变化速率。 - **栅极源极电压（VGS）**：额定值为±20V，控制电压范围宽泛。 - **人体模型ESD敏感度（JESD22-A114）**：符合Class 0标准，低于250V。 - **总功率耗散（Ptot）**：在25°C下，最大功率为0.36W。 - **工作和储存温度范围（Tj, Tstg）**：-55°C至150°C，适用于宽温环境。 - **IEC气候类别**：55/150/56，根据DIN IEC68-1标准进行环境耐受性测试。 4. 热性能： - **热阻（RthJA）**：虽然没有提供具体数值，但这是一个衡量芯片散热性能的重要指标，关系到芯片在高温下的稳定运行。 5. 电气特性（在Tj=25°C）： - 其他未列出的电气特性可能包括阈值电压、栅极电荷、输入电容等，这些数据对芯片的开关速度和控制特性有直接影响。 BSS138N是一款适用于低电压、小信号应用的高性能MOSFET，其紧凑的封装、良好的热性能和汽车级的可靠性，使其成为许多电子设计的理想选择。