M28F256高速Flash内存:32Kx8位,100ns访问,电擦除编程
"M28F256是一款256K(32Kx8,芯片级擦除)的闪存记忆体,由德州仪器(TI)在1996年推出。这款非易失性存储器允许电擦除和逐字节编程,适合需要在设备中进行现场重编程的应用。其高速访问时间为90ns,适用于高性能微处理器系统。此外,它具有低功耗特性,在待机状态下最大电流仅为100µA,可承受10,000次擦写周期,并支持12V编程电压。典型的字节编程时间是10µs,芯片级擦除操作可在1秒范围内完成。该器件还包括一个集成的擦除/编程停止定时器,并且可以在扩展温度范围内工作。" M28F256的主要特点和功能包括: 1. **组织结构**:M28F256提供了32K字节的8位存储空间,总共256K位。 2. **电擦除和逐字节编程**:用户可以对整个芯片进行电擦除,也可以逐字节地进行编程,这使得在设备运行过程中更新存储内容成为可能。 3. **命令寄存器架构**:采用命令寄存器来选择不同的操作模式,简化了与微处理器的接口设计。 4. **高速访问**:90ns的访问时间使其能够适应高频率的微处理器系统需求。 5. **低功耗**:在待机状态下,电流消耗极低,最大为100µA,有利于延长设备电池寿命。 6. **耐久性**:可承受10,000次的擦写循环,确保了长期使用的可靠性。 7. **编程电压**:支持12V的编程电压,保证了编程操作的高效性。 8. **快速编程时间**:典型字节编程时间为10µs,程序执行速度较快。 9. **芯片级擦除**:能够在1秒内完成芯片级的擦除操作。 10. **安全保护**:内置的擦除/编程停止定时器确保了在编程或擦除过程中的安全性。 11. **温度范围**:支持扩展的温度范围,增加了应用的环境适应性。 在硬件接口方面,M28F256有以下引脚: - A0-A14:地址输入,用于指定要访问的数据位置。 - DQ0-DQ7:数据输入/输出,用于读写数据。 - E:片选输入,当低电平时,器件被选中并可以接收命令。 - G:输出使能,当低电平时,数据可以从器件输出。 - W:写使能,控制写入操作。 - VPP:编程电源,提供编程操作所需的电压。 - VCC:电源电压,通常为5V,为器件提供正常工作所需的电源。 - VSS:接地,确保电路稳定。 M28F256封装形式为PLCC32,拥有32个引脚,适用于多种应用场景,如嵌入式系统、数据存储和处理等。在这些系统中,M28F256因其快速访问和灵活的编程能力而成为理想的选择。
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