ALD法制备的IrO2-TiO2薄膜电阻器用于热喷墨打印头

"Hybrid functional IrO2-TiO2 thin film resistor prepared by atomic layer deposition for thermal inkjet printheads (2011年)" 的研究是关于通过原子层沉积技术制备混合功能的IrO2-TiO2薄膜电阻器，并应用于热喷墨打印头的一种先进技术。 这篇论文探讨了如何利用Ir(EtCp)(COD)和钛异丙醇（TTIP）作为原料，通过原子层沉积（Atomic Layer Deposition, ALD）方法来制备IrO2-TiO2复合薄膜。ALD是一种精密的薄膜沉积技术，它能够控制薄膜的厚度和成分，具有很高的精确度和重复性。在本研究中，通过调整IrO2在IrO2-TiO2薄膜中的混杂比例，可以方便地控制薄膜的电阻率。实验结果显示，当IrO2的比例从0.55增加到0.78时，薄膜的电阻率可以从1500微欧·厘米降低到356.7微欧·厘米，这展示出对电阻率的有效调控能力。 此外，论文还指出，这种IrO2-TiO2薄膜具有较低的温度系数电阻（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）。这意味着随着温度变化，电阻的变化相对较小，这对于热喷墨打印头这样的高温应用至关重要。经过600°C的O2退火处理后，薄膜的电阻率变化仍能保持在10%以内，表现出良好的热稳定性。 在耐久性测试中，IrO2-TiO2薄膜在步进应力测试中的表现优于传统的TaN0.8加热电阻器。这表明，IrO2-TiO2薄膜在热喷墨打印头中可能提供更优越的性能和更长的工作寿命。 该研究揭示了IrO2-TiO2薄膜电阻器在热喷墨打印技术中的潜力，特别是在通过原子层沉积精确控制薄膜电阻率和热稳定性方面。这一创新技术有望推动打印技术的发展，提高设备的效率和可靠性。