S3C2410平台NandFlash驱动详解

"本文档主要介绍了NandFlash驱动的编写与移植，特别适合初学者学习。内容涵盖了NandFlash的工作原理、芯片内部存储布局、存储操作特点以及重要芯片引脚的功能。" NandFlash驱动编写是嵌入式系统开发中的一个重要环节，特别是对于基于S3C2410这样的处理器平台。NandFlash作为一种非易失性存储器，常被用于手机、嵌入式设备等系统的主存储器。S3C2410处理器集成了NandFlash控制器，使得与NandFlash芯片的交互变得更加方便。 首先，了解NandFlash的工作原理至关重要。NandFlash存储系统由NandFlash控制器和实际的NandFlash存储芯片组成。在S3C2410平台上，NandFlash不直接映射到内存地址空间，而是通过控制器来访问。要读取或写入数据，需要通过控制器发送特定的命令。 NandFlash芯片如Samsung K9F1208U0B，具有64MB的存储容量，采用块页式存储管理结构。每个设备由4096个块组成，每个块包含32页，每页为528字节，包括512字节的数据区域和16字节的Out-Of-Band (OOB)区域。OOB区域在存储操作中扮演特殊角色，例如存储ECC校验码和标记坏块信息。 存储操作有其独特特点：擦除操作是最小单位，即按块进行；写入操作前需先擦除，因为NandFlash的位只能从1变为0，不能从0变为1；OOB区域的第六字节用来标识是否为坏块，正常情况下这个位置为FF；此外，通常会使用OOB的前3个字节存放硬件计算的ECC码，用于数据完整性检查。 在硬件接口层面，NandFlash芯片的I/O0-I/O7引脚是复用的，可以传输数据、地址、命令和状态信息。CLE和ALE引脚分别用于命令和地址的锁存控制，而CE引脚作为芯片选择信号，用于启用或禁用NandFlash芯片。 编写NandFlash驱动时，需要理解这些基本概念并实现相应的函数，如初始化、读写操作、擦除块、检测坏块等。驱动程序需要适配控制器的特性，正确处理命令序列、地址计算和数据传输，同时考虑到错误处理和ECC校验。对于初学者，可以从理解这些基本原理开始，逐步深入到驱动代码的编写和调试。