SST25VF016B：高性能16Mb SPI串行Nor Flash

"SST25VF016B是一款由Microchip Technology公司生产的Nor Flash存储器，具有单电压操作、高速串行接口、高可靠性、低功耗、灵活的擦除编程功能以及多种保护机制。它适用于需要高效、稳定存储解决方案的嵌入式系统设计。" SST25VF016B是一款16兆位(Mb)的串行闪存，设计用于满足嵌入式系统对非易失性存储的需求。这款Nor Flash芯片支持在2.7到3.6伏特的单电压范围内进行读写操作，确保了广泛的电源兼容性。它采用了串行接口架构，兼容SPI（Serial Peripheral Interface）模式0和模式3，允许在紧凑的封装中实现高速数据传输，最大时钟频率可达80MHz。 该芯片以其高可靠性著称，可擦写次数达到100,000次，数据保存时间超过100年，保证了长期的数据稳定性和耐用性。在功耗方面，读操作时的工作电流仅为10mA（典型值），待机电流低至5微安，对于电池供电或能源有限的设备来说尤其重要。 SST25VF016B提供灵活的擦除和编程选项，包括4KB扇区、32KB覆盖块和64KB覆盖块，以适应不同的应用需求。快速擦除和字节编程功能使得全片擦除时间只需35毫秒，扇区/块擦除时间为18毫秒，字节编程时间仅为7微秒，显著提高了编程效率。自动地址递增（AAI）编程功能进一步减少了编程时间，而写操作结束检测则通过软件轮询状态寄存器中的BUSY位或在AAI模式下通过SO引脚读出忙状态，确保了操作的准确完成。 为了保护存储数据，SST25VF016B提供了保持引脚（HOLD#）和写保护引脚（WP#）。保持引脚可以在不取消选择器件的情况下暂停串行序列，而写保护引脚则可以启用或禁用状态寄存器的锁定功能，防止意外修改。此外，软件写保护功能通过状态寄存器中的块保护位实现，允许用户指定哪些区域不可写。 该芯片的工作温度范围涵盖了商业级（0°C至+70°C）和工业级（-40°C至+85°C），确保在各种环境条件下都能稳定运行。SST25VF016B可提供8引脚SOIC（200mil）和8触点WSON（6mmx5mm）两种封装，且符合RoHS标准，适合环保要求。 SST25VF016B是基于SST的SuperFlash®技术制造的，采用分离栅极单元设计和厚氧化层隧穿注入器，这使得它在性能、可靠性和生产性方面具有优势，是嵌入式系统开发者理想的存储解决方案。