SST25VF016B:高性能16Mb SPI串行Nor Flash
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更新于2024-06-18
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"SST25VF016B是一款由Microchip Technology公司生产的Nor Flash存储器,具有单电压操作、高速串行接口、高可靠性、低功耗、灵活的擦除编程功能以及多种保护机制。它适用于需要高效、稳定存储解决方案的嵌入式系统设计。"
SST25VF016B是一款16兆位(Mb)的串行闪存,设计用于满足嵌入式系统对非易失性存储的需求。这款Nor Flash芯片支持在2.7到3.6伏特的单电压范围内进行读写操作,确保了广泛的电源兼容性。它采用了串行接口架构,兼容SPI(Serial Peripheral Interface)模式0和模式3,允许在紧凑的封装中实现高速数据传输,最大时钟频率可达80MHz。
该芯片以其高可靠性著称,可擦写次数达到100,000次,数据保存时间超过100年,保证了长期的数据稳定性和耐用性。在功耗方面,读操作时的工作电流仅为10mA(典型值),待机电流低至5微安,对于电池供电或能源有限的设备来说尤其重要。
SST25VF016B提供灵活的擦除和编程选项,包括4KB扇区、32KB覆盖块和64KB覆盖块,以适应不同的应用需求。快速擦除和字节编程功能使得全片擦除时间只需35毫秒,扇区/块擦除时间为18毫秒,字节编程时间仅为7微秒,显著提高了编程效率。自动地址递增(AAI)编程功能进一步减少了编程时间,而写操作结束检测则通过软件轮询状态寄存器中的BUSY位或在AAI模式下通过SO引脚读出忙状态,确保了操作的准确完成。
为了保护存储数据,SST25VF016B提供了保持引脚(HOLD#)和写保护引脚(WP#)。保持引脚可以在不取消选择器件的情况下暂停串行序列,而写保护引脚则可以启用或禁用状态寄存器的锁定功能,防止意外修改。此外,软件写保护功能通过状态寄存器中的块保护位实现,允许用户指定哪些区域不可写。
该芯片的工作温度范围涵盖了商业级(0°C至+70°C)和工业级(-40°C至+85°C),确保在各种环境条件下都能稳定运行。SST25VF016B可提供8引脚SOIC(200mil)和8触点WSON(6mmx5mm)两种封装,且符合RoHS标准,适合环保要求。
SST25VF016B是基于SST的SuperFlash®技术制造的,采用分离栅极单元设计和厚氧化层隧穿注入器,这使得它在性能、可靠性和生产性方面具有优势,是嵌入式系统开发者理想的存储解决方案。
2014-05-28 上传
2022-09-20 上传
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2012-06-26 上传
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