FDN361AN-NL-VB SOT23封装N-Channel MOSFET技术规格与应用

"FDN361AN-NL-VB是一款由VBsemi生产的SOT23封装的N-Channel场效应MOSFET，主要特点包括采用TrenchFET®技术，符合RoHS标准，100%进行了栅极电阻测试。这款MOSFET适用于DC/DC转换器等应用。其关键参数包括30V的漏源电压（VDS），在VGS=10V时的RDS(on)为30mΩ，最大连续漏极电流ID为6.5A，以及4.5nC的总栅极电荷（Qg）。" FDN361AN-NL-VB是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），适用于电源管理领域，特别是直流到直流转换器的应用。其SOT23封装设计使得它适合在空间有限的电路板上使用，这在便携式设备和高密度电子系统中尤其重要。 该器件的核心特性是其TrenchFET®结构，这是一种先进的制造工艺，通过在硅片上形成深沟槽来实现更小的尺寸和更低的电阻，从而提高了开关速度和效率，同时降低了工作时的发热量。此外，FDN361AN-NL-VB符合IEC61249-2-21定义的无卤素标准，并且符合RoHS指令，这意味着它不含有任何有害物质，有利于环保。 在电气特性方面，FDN361AN-NL-VB的阈值电压Vth范围为1.2~2.2V，这意味着在不同的栅极电压下，器件可以从关闭状态切换到导通状态。对于RDS(on)，在VGS=10V时，其典型值为30mΩ，这代表了当MOSFET完全开启时，源极到漏极之间的电阻，数值越小意味着导通状态下的压降越低，效率越高。同样，当VGS=4.5V时，RDS(on)上升到33mΩ。ID的最大连续电流在不同温度下有所不同，如在TJ=150°C时为6.5A，在TJ=70°C时降至6.0A。 此外，MOSFET的总栅极电荷Qg是衡量开关性能的重要参数，FDN361AN-NL-VB的典型值为4.5nC，较小的Qg意味着更快的开关速度和更低的开关损耗。器件的最大功率耗散（PD）在25°C时为1.7W，但随着温度升高，这个值会下降，因此在设计热管理系统时必须考虑这一点。 绝对最大额定值表明了FDN361AN-NL-VB在安全操作区内的限制条件，如漏源电压VDS的最大值为30V，而栅源电压VGS的极限为正负20V。持续漏极电流ID随温度变化，脉冲漏极电流IDM为25A，源漏二极管的连续电流IS在25°C时为1.4A，但这个值在特定条件下可能会降低。 FDN361AN-NL-VB是一款高效、紧凑的N沟道MOSFET，适合于需要高速开关和低功耗特性的应用。在设计时，需确保正确考虑其工作条件和散热管理，以充分发挥其性能。