FDN5632N-VB: 60V SOT23 N-Channel MOSFET with Low RDS(on) & High ...

FDN5632N-VB是一款由VBSEM公司生产的高性能N-Channel场效应MOS管，采用SOT23封装。这款器件的特点包括环保设计，符合IEC61249-2-21标准，采用先进的Trench FET技术，确保了高效率和可靠性。它具有以下主要特性： 1. **电学参数**： - 集成度高：N-Channel沟道设计，可以承受高达60V的 Drain-Source (D-S)电压。 - 电流能力：在VGS=10V时，集电极电流ID可达4A，而当VGS=4.5V时，仍可提供3.8A的电流。RDS(ON)低至85mΩ，表明其在开关应用中有出色的导通电阻性能。 - 耐压与温度稳定性：栅源电压范围为±20V，且阈值电压Vth为1~3V，表现出良好的线性响应。 2. **可靠性测试**： - 该器件经过严格的100% Rg和100% UIS测试，确保在正常使用条件下表现出优良的性能和耐久性。 - 在高温环境下（如TJ=150°C），连续和脉冲工作条件下的电流限制分别有3.4A和12A，以及1.39A的连续源漏电流。 3. **热管理**： - 定义了最大功率损耗和散热要求，如在25°C下，最大功率耗散为1.66W，而在70°C时降至1.06W，表明良好的散热性能。 - 为了防止过热，给出操作和储存温度范围，从-55°C到150°C，允许在宽温范围内稳定工作。 4. **电气安全**： - 单脉冲雪崩电流（I_L）为6A，单脉冲雪崩能量（EAS）为1.8mJ，这些指标确保了设备在瞬态过载条件下的安全。 5. **应用领域**： - 适合用于电池开关和直流/直流转换器等应用，尤其在对低导通损耗、小尺寸和高可靠性的要求较高的电路中。 FDN5632N-VB是一款适用于各种工业级电子设备的高性能MOS管，它的低阻抗、高电流密度以及严格的测试确保了在各种应用中的稳定性和可靠性。设计者在选择此型号时，应考虑其电学特性和工作温度范围，以充分发挥其性能潜力。