英飞凌750V IGBT+肖特基二极管并联组件AIKQ120N75CP2
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更新于2024-06-25
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英飞凌(AIKQ120N75CP2)是一款高电压、大电流的集成IGBT和二极管器件，专为电动汽车牵引逆变器（xEV traction inverter）、直流链接断路器（DC-link discharge switch）以及汽车辅助驱动系统（automotive aux-drives）等应用设计。该产品采用了先进的TO247PLUS封装，具有以下关键特性：
1. **高压耐受性**：集成了750V的集电极-发射极间电压（VCE），可以支持高达470V的直流系统，并提供了额外的过电压容限，适用于400V直流系统。
2. **大电流能力**：额定电流IC可达120A，能满足高功率需求的应用。
3. **低饱和压降**：在正常工作条件下（IC=120A，25°C），VCE(sat)仅为1.30V，这有助于降低开关损耗和提高效率。
4. **短路保护**：内置短路保护机制，当遇到短路时，电流自限制，且能承受5μs内的VCE=470V和VGE=15V的条件。
5. **易于并联**：正温度系数及紧密的参数分布使得多单元并联更加容易，方便系统设计。
6. **替换性好**：作为上一代120A、100°C版本的直接替换方案，简化了升级过程。
7. **良好的电流共享**：在并联操作中展现出卓越的电流分配性能，减少失衡影响。
8. **低导通损耗**：QG（门极充电）小，有助于提高开关速度和降低电磁干扰。
9. **简单门极驱动**：设计简洁，易于集成到控制系统中。
10. **附加功能**：与快速软恢复的三极管一起封装，提供额外的保护和性能优势。
11. **安全可靠**：符合汽车行业标准，如AEC-Q101，确保在严苛的汽车环境中具备高可靠性。
12. **包装规格**：TO247PLUS封装，带有高爬电距离，增强了绝缘性能。
这款器件经过了严格的汽车应用验证，适用于对功率密度、热管理和电磁兼容性有高要求的场合。2021年10月27日之后可能存在使用限制，请注意查看最新资料。
Table 3 (continued) Characteristic values
Parameter Symbol Note or test condition Values Unit
Min. Typ. Max.
Zero gate-voltage collector
current
I
CES
V
CE
= 750 V, V
GE
=0 V T
vj
=25 °C 200 µA
T
vj
=175 °C 4000
Gate-emitter leakage
current
I
GES
V
CE
=0 V, V
GE
=20 V 100 nA
Transconductance g
fs
I
C
= 120 A, V
CE
=20 V 90 S
Short-circuit collector
current
I
SC
V
CC
≤ 470 V, V
GE
=15 V, t
SC
≤ 5 µs, Allowed
number of short circuits < 1000 , Time
between short circuits ≥ 1.0 s, T
vj
=25 °C
750 A
Input capacitance C
ies
V
CE
=25 V, V
GE
=0 V, f=100 kHz 13125 pF
Output capacitance C
oes
V
CE
=25 V, V
GE
=0 V, f=100 kHz 337 pF
Reverse transfer
capacitance
C
res
V
CE
=25 V, V
GE
=0 V, f=100 kHz 59 pF
Gate charge Q
G
I
C
= 120 A, V
GE
=15 V, V
CC
= 600 V, V
CE
=600 V 731 nC
Turn-on delay time t
don
V
CE
= 470 V, V
GE
= -8/15 V,
R
Gon
= 5 Ω, R
Go
= 5 Ω,
L
σ
=50 nH, C
σ
=30 pF
T
vj
= 25 °C,
I
C
= 120 A
71 ns
T
vj
= 175 °C,
I
C
= 120 A
50
Rise time (inductive load) t
r
V
CE
= 470 V, V
GE
= -8/15 V,
R
Gon
= 5 Ω, R
Go
= 5 Ω,
L
σ
=50 nH, C
σ
=30 pF
T
vj
= 25 °C,
I
C
= 120 A
69 ns
T
vj
= 175 °C,
I
C
= 120 A
68
Turn-o delay time t
do
V
CE
= 470 V, V
GE
= -8/15 V,
R
Gon
= 5 Ω, R
Go
= 5 Ω,
L
σ
=50 nH, C
σ
=30 pF
T
vj
= 25 °C,
I
C
= 120 A
244 ns
T
vj
= 175 °C,
I
C
= 120 A
226
Fall time (inductive load) t
f
V
CE
= 470 V, V
GE
= -8/15 V,
R
Gon
= 5 Ω, R
Go
= 5 Ω,
L
σ
=50 nH, C
σ
=30 pF
T
vj
= 25 °C,
I
C
= 120 A
50.5 ns
T
vj
= 175 °C,
I
C
= 120 A
67
Turn-on energy
1)
E
on
V
CE
= 470 V, V
GE
= -8/15 V,
R
Gon
= 5 Ω, R
Go
= 5 Ω,
L
σ
=50 nH, C
σ
=30 pF
T
vj
= 25 °C,
I
C
= 120 A
6.82 mJ
T
vj
= 175 °C,
I
C
= 120 A
7.3
Turn-o energy E
o
V
CE
= 470 V, V
GE
= -8/15 V,
R
Gon
= 5 Ω, R
Go
= 5 Ω,
L
σ
=50 nH, C
σ
=30 pF
T
vj
= 25 °C,
I
C
= 120 A
3.8 mJ
T
vj
= 175 °C,
I
C
= 120 A
4.7
(table continues...)
AIKQ120N75CP2
EDT2 IGBT
2 IGBT
Datasheet 4 Revision 1.10
2022-03-16
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2023-06-02 上传
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