IRF7316TRPBF-VB: 2个P沟道SOP8封装高性能MOS管

IRF7316TRPBF-VB是一种高性能的双P沟道30V耐压MOSFET，它采用TrenchFET技术，这是一种先进的功率MOS场效应晶体管结构，旨在提供高效能和低损耗的开关性能。该器件具有以下主要特点： 1. 环保设计：IRF7316TRPBF-VB是无卤素的，符合环保标准，对环境友好。 2. 封装形式：采用SOP8封装，即小型塑料双列直插式封装，适合于空间有限的应用场景。 3. 高质量测试：100%的UISTested（可能是指单元完整性测试），确保了产品的可靠性。 4. 电气规格： - 漏源电压（VDS）：最大工作电压为-30V，这意味着它可以承受高达30伏特的电压差。 - 栅源电压（VGS）：可承受±20V的电压范围，这对于驱动电路来说非常关键。 - 连续导通电流（ID）：在不同温度条件下，例如在25°C时，其典型值为-7.3A，在70°C时则下降至-7.0A。 - 脉冲电流（IDM）：对于短时间的峰值电流处理能力，最高可达-32A。 - 正向漏极电流（IS）：在静态状态下，源漏极电流在25°C时为-4.1A，随着温度升高有所减少。 5. 安全特性： - 雪崩电流（IAS）：在0.1mH电感下，单脉冲雪崩电流限制为-20A，保障了过载保护。 - 能量吸收：单次脉冲雪崩能量限制为20mJ，防止设备因过载而受损。 - 功率处理能力：在正常工作温度下，最大功率耗散为5.0W，随着温度上升，这个数值会相应降低。 6. 温度范围：操作和储存温度范围为-55℃至150℃，保证了设备在宽广的工作环境下稳定运行。 7. 热阻指标：给出了junction-to-ambient（芯片到环境）的热阻典型值，这有助于计算散热设计要求。 这款MOSFET适用于负载开关等应用，特别是那些需要高效率和小型化的电子设备，如电源管理、电机控制等。在选择和使用时，需要注意它的限制条件，比如最大功率损耗、持续和脉冲工作电流的限制以及温度依赖性。IRF7316TRPBF-VB是一款值得信赖的高性能MOSFET解决方案。